四探針法是一種簡便的測量電阻率的方法。四探針法測量電阻率有個非常大的優點，它不需要較準；有時用其它方法測量電阻率時還用四探針法較準。

四探針法測電阻原理介紹：

對于一般的線性材料，我們常常用電阻來表征某一段傳輸電流的能力，其滿足以下關系式:

其中 p、Ⅰ和s分別表示材料本身的電阻率、長度和橫截面積。對于某種材料 p滿足關系式:

ne、nh、un,、uh和q分別為電子濃度、空穴濃度、電子遷移率、空穴遷移率和基本電荷量。

對于具有一定導電性能的薄膜材料，其沿著平面方向的電荷傳輸性能一般用方塊電阻來表示，對于邊長為l、厚度為xj方形薄膜，其方塊電阻可表示為:

即方塊電阻與電阻率p成正比，與膜層厚度xj , 成反比，而與正方形邊長l無關。

方塊電阻一般采用雙電測電四探針來測量，測量裝置如圖4所示。四根由鎢絲制成的探針等間距地排成直線，彼此相距為s (一般為幾個mm)。測量時將針尖壓在薄膜樣品的表面上，外面兩根探針通電流Ⅰ(一般選取0.5-2mA )，里面的兩探針用來測量電壓v，通常利用電位差計測量。

雙電測電四探針測量薄膜方塊電阻結構簡圖

當被測樣品的長度和寬度遠遠大于探針間距，薄膜方塊電阻具體表達式為:

即薄膜的方塊電阻和外側探針通電流后在內探針處產生的電位差大小有關。如果樣品的線度相對探針間距大不多時，上式中的系數c必須加以適當的修正，修正值與被測樣品的形狀和大小有關。

C=4.53

   四探針測試技術，是用4根等間距配置的探針扎在半導體表面上，由恒流源給外側的兩根探針提供一個適當小的電流I，然后測量出中間兩根探針之間的電壓V，就可以求出半導體的電阻率。對于厚度為W（遠小于長和寬）的薄半導體片，得到電阻率為ρ=ηW(V/I)，式中η是修正系數。特別，對于直徑比探針間距大得多的薄半導體圓片，得到電阻率為ρ= (π/ln2)W(V/I)= 4.532 W(V/I) [Ω-cm]，其中W用cm作單位。