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日本ULVAC愛發科半導體間自然氧化蝕刻設備
日本ULVAC愛發科半導體間自然氧化蝕刻設備
間歇式自然氧化膜去除設備RISE TM -300是一種間歇式預清洗設備，可以去除LSI深接觸底部等難處理的自然氧化膜。兼容300mm目標晶圓。
實現高吞吐量和低 CoO
良好的蝕刻均勻性（< ±5%/批次）和再現性
干法
無損壞（遠程等離子體和低溫工藝）
與傳統濕法工藝相比，自對準接觸電阻降低至 1/2
設備布局靈活
強調可維護性
50 300mm晶圓批量加工
用于形成自對準觸點的預處理
電容器形成過程中的預處理
外延生長過程中的預處理
| 模型 | RISETM-300 | |
| 等離子源 | 微波電源 | |
| 設備配置 | EFEM + LL + PM | |
| 板尺寸 | Φ300mm | |
| 板臺 | 陶瓷舟（50只/批） | |
| 排氣系統 | 機械增壓泵+DRP | |
| 控制系統 | FAPC+TFT觸摸屏 | |
| 氣體導入系統 | 3個系統 | |
| 應用 | SAC、電容器和外延生長過程中的預處理 | |
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