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愛德華iH系列干式真空泵在半導體行業的應用

閱讀:1691        發布時間:2020-4-11
  • 半導體行業簡介

  半導體指常溫下導電性能介于導體絕緣體之間的材料。半導體在集成電路、消費電子、通信系統、光伏發電、照明應用、大功率電源轉換等領域應用。如二極管就是采用半導體制作的器件。無論從科技或是經濟發展的角度來看,半導體的重要性都是非常巨大的。今日大部分的電子產品,如計算機、yi動電話或是數字錄音機當中的核心單元都和半導體有著極為密切的關聯。常見的半導體材料有砷化鎵等,而硅更是各種半導體材料中,在商業應用上ju影響力的一種。

  • 半導體應用

半導體在集成電路、消費電子、通信系統、光伏發電、照明應用、大功率電源轉換等領域應用。

光伏應用

半導體材料光生伏*應是太陽能電池運行的基本原理。現階段半導體材料的光伏應用已經成為一大熱門 ,是目前世界上增長kuai、發展hao的清潔能源市場。太陽能電池的主要制作材料是半導體材料,判斷太陽能電池的優劣主要的標準是光電轉化率,光電轉化率越高 ,說明太陽能電池的工作效率越高。根據應用的半導體材料的不同,太陽能電池分為晶體硅太陽能電池、薄膜電池以及III-V族化合物電池。

照明應用

LED是建立在半導體晶體管上的半導體發光二極管 ,采用LED技術半導體光源體積小,可以實現平面封裝,工作時發熱量低、節能高效,產品壽命長、反應速度快,而且綠色環保無污染,還能開發成輕薄短小的產品,一經問世 ,就迅速普及,成為新一代的優質照明光源,目前已經廣泛的運用在我們的生活中。如交通指示燈、電子產品的背光源、城市夜景美化光源、室內照明等各個領域 ,都有應用。

大功率電源轉換

交流電和直流電的相互轉換對于電器的使用十分重要 ,是對電器的必要保護。這就要用到等電源轉換裝置。碳化硅擊穿電壓強度高 ,禁帶寬度寬,熱導性高,因此SiC半導體器件十分適合應用在功率密度和開關頻率高的場合,電源裝換裝置就是其中之一。碳化硅元件在高溫、高壓、高頻的又一表現使得現在被廣泛使用到深井鉆探,發電裝置中國的逆變器,電氣混動汽車的能量轉化器,輕軌列車牽引動力轉換等領域。由于SiC本身的優勢以及現階段行業對于輕量化、高轉換效率的半導體材料需要,SiC將會取代Si,成為應用guangfan的半導體材料。

  • 半導體制造工藝流程

半導體產品的加工過程主要包括晶圓制造(前道,Front-End)和封裝(后道,Back-End)測試,隨著*封裝技術的滲透,出現介于晶圓制造和封裝之間的加工環節,稱為中道(Middle-End)。由于半導體產品的加工工序多,所以在制造過程中需要大量的半導體設備和材料。半導體元件制造過程可分為:

(一)前段(Front End)制程

晶圓處理制程(Wafer Fabrication);簡稱(Wafer Fab)

晶圓針測制程(Wafer Probe)

(二)后段(Back End )

構裝(Packaging )

測試制程(Initial Test and Final Test)

 

1、晶圓處理制程

晶圓處理制程之主要工作為在硅晶圓上制作電路與電子元件(如電晶體、電容體、邏輯閘等),為上述各制程中所需技術fu雜且資金投入多的過程,以微處理(Microprocessor)為例,其所需處理步驟可達數百道,而其所需加工機臺*且昂貴,動輒數千萬一臺,其所需制造環境為為一-溫度、濕度與含塵(Particle) 均需控制的無塵室(Clean-Room) ,雖然詳細的處理程序是隨著產品種類與所使用的技術有關;不過其基本處理步驟通常是晶圓先經過適當的清洗(Cleaning) 之后,接著進行氧化(Oxidation) 及沉積,后進行微影、蝕刻及離子植入等反覆步驟,以完成晶圓上電路的加工與制作。

 

2、晶圓針測制程

經過Wafer Fab之制程后,晶圓上即形成一格格的小格,我們稱之為晶方或是晶粒(Die),在一般情形下,同一-片晶圓上皆制作相同的晶片,但是也有可能在同- -片晶圓上制作不同規格的產品;這些晶圓必須通過晶片允收測試,晶粒將會一- -經過針測(Probe)儀器以測試其電氣特性,而不合格的的晶粒將會被標上記號(Ink Dot),此程序即稱之為晶圓針測制程(WaferProbe)。然后晶圓將依晶粒為單位分割成一粒粒獨立的晶粒。

 

3、IC構裝制程

IC構裝襲程(Packaging) :利用塑膠或陶瓷包裝晶粒與配線以成積體電路

目的:是為了襲造出所生產的電路的保護層,避免電路受到機械性刮傷或是高溫破壞。

  • 真空泵用于半導體制造行業

真空泵作為半導體制造行業的一種主要的生產設備,愈來愈要求安全可靠。當烴油密封的旋轉泵用于光刻去膠等有氧的場合,有時會發生爆炸。原子化的油霧、熱的油蒸氣、摩擦、壓縮、較高的溫度、外物、可能的靜電等,一旦與氧結合便可能危害環境。而這些因素,真空泵里都有。在泵里采用氮等惰性氣體作為氣爆,并用氮來減小油箱里的氧濃度(使氧濃度低于 25%),可使發生爆炸的危險性減小。這個方法已被半導體制造行業采用.新的真空泵將更能適應集成電路制造工藝中的腐蝕要求,例如可用陶瓷、耐熔金屬和貴金屬制造。半導體工藝真空主要用在蒸發,濺射,PECVD,真空干法刻蝕, 真空吸附,測試設備,真空清掃等等鍵合工序。

  • 半導體制造行業推薦阿*愛德華iH干式真空泵

1.阿*愛德華iH系列介紹

   Edwards 高級半導體真空泵已經過現場應用證明,可以按照gao工作標準運行。通過延長使用壽命、提高運行時間并提高生產率,同時減小占地面積、降低運行成本,實現了高的可靠性和性能。iH 系列為難以執行的制程(如存在微粒、易冷凝和腐蝕性副產品的 PECVD 和 LPCVD 制程)提供了高可靠性。

1.阿*愛德華iH系列型號:IH80、IH160、IH600、IH1000、IH1800、IH1800hTX

2.阿*愛德華iH系列功能和優勢

(1)優化了設施消耗;

(2)無需預防性維護;

(3)懸臂軸和特殊的異型轉子便于顆粒的處理;

(4)在節省電機功率的同時提高了工作繁重的 CVD 應用條件下的穩定性;

(5)耐腐蝕的制造材料允許泵送腐蝕性氣體;

(6)較高的工作溫度為避免氣體冷凝提供了充分的安全保證;

(7)整體式軸桿無需使用電機聯結器,而第五級泵消除了使用消音器的需要并消除了顆粒堆積,從而降低了總體占地面積。

 

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