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貨物所在地：上海上海市
更新時(shí)間：2025-01-02 09:48:56
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吉時(shí)利4200A-SCS 參數(shù)分析儀
姓名：郭工(Barry)
電話(huà)：186 2116 1670
吉時(shí)利4200通常用于高分辨率的電壓、電流信號(hào)的測(cè)量，適合于中小功率設(shè)備，并可提供精密的電壓、電流的測(cè)量。儀器本身基于模塊化功能設(shè)計(jì)，每個(gè)模塊可完成相應(yīng)的測(cè)量任務(wù)。功率源模塊與前端放大器模塊可以測(cè)量基本的I-V、C-V，同時(shí)擁有較高的分辨率；再配置多通道開(kāi)關(guān)模塊，可實(shí)現(xiàn)I-V、C-V測(cè)量的輕松切換。超快速脈沖單元以及高壓脈沖配合前端放大器實(shí)現(xiàn)更多模式信號(hào)、信號(hào)分辨率以及測(cè)試信號(hào)之間的任意切換。由于模塊化設(shè)計(jì)，參數(shù)分析儀擁有廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。在COMS晶體管、BJT、分立元器件、非易失性存儲(chǔ)器、材料、功率器件、可靠性等測(cè)試方面廣泛應(yīng)用。
主要特點(diǎn)及優(yōu)點(diǎn)
四象限操作
2 線(xiàn)或 4 線(xiàn)連接
瞬態(tài)波形捕獲模式
100 fA 測(cè)量分辨率
200 MSa/s，5 ns 采樣率
AC 阻抗測(cè)量 (C-V, C-f, C-t)
10 mHz - 10 Hz 低頻率電容測(cè)量
主要應(yīng)用
MOSFET, BJT晶體管
材料表征
非易失性存儲(chǔ)設(shè)備
電阻率系數(shù)和霍爾效應(yīng)測(cè)量
NBTI/PBTI III-V族器件
失效分析
納米器件
二極管和pn聯(lián)結(jié)
太陽(yáng)能電池
傳感器
MEMS器件
電化學(xué)
LED和OLED
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