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| 參考價(jià) | 面議 |
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更新時(shí)間：2025-06-06 16:15:35瀏覽次數(shù)：18評(píng)價(jià)
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| 產(chǎn)地類別 | 國(guó)產(chǎn) | 價(jià)格區(qū)間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 儀器種類 | 場(chǎng)發(fā)射 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 能源,電子/電池,電氣 |
| 分辨率 | 0.6 nm @ 15 kV,SE/1.0 nm @1kV，SE | 加速電壓 | 20V~30 kV |
| 放大倍率 | 1 ~ 2,500,000x | 電子槍類型 | 肖特基場(chǎng)發(fā)射電子槍 |
SEM5000E超高分辨場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡是一款超高分辨率場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡，電子光學(xué)鏡筒設(shè)計(jì)優(yōu)化，綜合像差降低了 30%，從而達(dá)到了0.6 nm@15 kv和 1.0 nm@1 kv的超高分辨率。超高分辨率和高穩(wěn)定性，可在先進(jìn)納米結(jié)構(gòu)和納米材料的研究、芯片半導(dǎo)體的研發(fā)制造等領(lǐng)域發(fā)揮其性能優(yōu)勢(shì)。
SEM5000E超高分辨場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡
超高分辨率成像，達(dá)到了突破性的0.6 nm@15 kV和1.0 nm@1 kV
高壓隧道技術(shù)，挑戰(zhàn)極限樣品拍攝場(chǎng)景
高精度機(jī)械優(yōu)中心樣品臺(tái)，可搭配整體罩殼設(shè)計(jì)，極大減弱環(huán)境對(duì)極限分辨率的影響
最大支持4寸晶圓的快速換樣倉(cāng)，滿足半導(dǎo)體和科研應(yīng)用需求
| 關(guān)鍵參數(shù) | 分辨率 | 0.6 nm @ 15 kV，SE |
| 1.0 nm @ 1 kV，SE | ||
| 加速電壓 | 20 V ~ 30 kV | |
| 放大倍率 | 1 ~ 2,500,000 x | |
| 電子槍類型 | 肖特基場(chǎng)發(fā)射電子槍 | |
| 樣品室 | 攝像頭 | 雙攝像頭（光學(xué)導(dǎo)航+樣品倉(cāng)內(nèi)監(jiān)控） |
| 樣品臺(tái)行程 | X=110 mm，Y=110 mm，Z=65 mm | |
T: -10°~+70°，R: 360° | ||
| 探測(cè)器和擴(kuò)展 | 標(biāo)配 | 鏡筒內(nèi)電子探測(cè)器（Inlens） |
| 倉(cāng)室內(nèi)電子探測(cè)器（ETD） | ||
| 選配 | 插入式背散射電子探測(cè)器（BSED） （五分割，可選配） | |
| 插入式掃描透射探測(cè)器（STEM） | ||
| 能譜儀（EDS） | ||
| 背散射衍射（EBSD） | ||
| 樣品交換倉(cāng)（4寸） | ||
| 軌跡球&旋鈕板 | ||
| 軟件 | 語(yǔ)言 | 中文 |
| 操作系統(tǒng) | Windows | |
| 導(dǎo)航 | 光學(xué)導(dǎo)航、手勢(shì)快捷導(dǎo)航，軌跡球（選配） | |
| 圖像記錄 | TIFF、JPG、PNG、BMP等 | |
| 自動(dòng)功能 | 自動(dòng)亮度對(duì)比度、自動(dòng)聚焦、自動(dòng)像散 |
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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