AT650P 等離子體增強原子層沉積PEALD
- 公司名稱 北京盈思拓科技有限公司
- 品牌
- 型號 AT650P
- 產地
- 廠商性質 經銷商
- 更新時間 2025/6/9 18:15:45
- 訪問次數 45
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AT650T可在用戶現場升級為AT650P
技術參數:
l 高達400°C
l 具有高頻率射頻的空心陰極
l 金屬密封線降低了大氣污染的風險
l 前體加熱至185°C(帶選擇性增壓)
l 4前體和多達4個有選項的共反應物
l 可選:手套箱界面或加載鎖定
l 高達6英寸或更高的基板
l 靜態處理模式下可實現高曝光
選項:
l 定制卡盤/鍍層
l QCM(石英晶體微天平)
l 為您的瓶子設計氣泡器
l 負載鎖(或手套箱接口)
l 共反應器線(MFC控制)(最多可增加2條)
l 額外加熱前體管線至185攝氏度,共4條。定制系統-請咨詢我們
客戶案例:
全球100多家用戶,多家重復購買的用戶:
哈佛大學
赫爾辛基大學(Professor Mikko Ritala and Matti Putkonen)
泛林集團 (LAM) (3臺以上)
牛津大學(2臺以上, Prof Sebastian Bonilla)
國立材料科學研究所(日本,多臺)
東京大學(多臺)
早稻田大學(多臺)
西北大學(美國)
劍橋大學(英國)
萊斯大學
英屬哥倫比亞大學(加拿大)
ENS-Paris(法國、高等師范學院)
北京量子研究院
北京大學
布里斯托大學(英國)
謝菲爾德大學等等
重復購買客戶的具體運用:
1. 早稻田大學 (Waseda University) (日本東京) - 傳感器、表面改性、納米壓印光刻、先進通孔制造 (AIST) – 日本茨城縣
2. 早稻田大學 (Waseda University) (日本東京) – 系統 #2;類似應用。日本神奈川縣橫濱國立大學 (Yokohama National University)
13. 國立材料科學研究所 (NIMS) #1 (日本茨城縣) - 表面和薄膜中的聲子;原子尺度低維等離激元學;納米材料中的自旋軌道分裂
14. 國立材料科學研究所 (NIMS) #2 (日本茨城縣) - 碳納米管中的自旋相關輸運;納米間隙制造和分子輸運;石墨烯中的帶隙工程;有機晶體管
21. 私人公司 (Private Company) (美國俄勒岡州波特蘭) - TEM 樣品制備;HfO2, Al2O3, Ta2O5
22. Precision TEM (美國加利福尼亞州圣克拉拉) - TEM 樣品制備;HfO2, Al2O3
43. 私人公司 TK (Private Company TK) (日本宮城縣) - TEM 樣品制備
44. 私人公司 (Private Company) (美國俄勒岡州波特蘭) - TEM 樣品制備;HfO2, Al2O3, Ta2O5
45. 東京大學 (University of Tokyo) (日本) – 先進 ALD 工藝
93. 東京大學 (University of Tokyo) – 日本東京 – Dr. Onaya
91. 泛林集團 (LAM Research) – 美國俄勒岡州圖瓦拉丁 (Tualatin)
97. 泛林集團 (LAM) 系統 #2 – 美國俄勒岡州圖瓦拉丁
98. 泛林集團 (LAM) 系統 #3 – 美國俄勒岡州圖瓦拉丁
99. 牛津大學 (University of Oxford) – 英國牛津 - Prof Sebastian Bonilla
100. 德島大學 (Tokushima University) (日本)
101. 赫爾辛基大學 (University of Helsinki) (芬蘭) Professor Mikko Ritala and Matti Putkonen
102. 應用材料公司 (AMAT - Applied Materials) – 美國
103. 牛津大學 (University of Oxford) (英國牛津)