測(cè)量鍺單晶壽命需配置適當(dāng)波長的光源——紅外光在硅單晶內(nèi)穿透深大于500μm

來源：北京中慧天誠科技有限公司 2025年06月17日 22:16

高頻光電導(dǎo)少數(shù)載流子壽命測(cè)試儀是按照半導(dǎo)體設(shè)備和材料（F28-75）及GB/T1553的要求，采用高頻光電導(dǎo)衰減測(cè)量方法，適用于硅、鍺單晶的少數(shù)載流子壽命測(cè)量，硅單晶壽命測(cè)量ρ≥2Ω·cm。

規(guī)格參數(shù)：

測(cè)試范圍：5-10000μs；

電阻率范圍：ρ≥2Ω·cm

參雜硅單晶片（厚度小于1mm），電阻率范圍：ρ＞0.1Ω·cm

重復(fù)性誤差：≤±20%

光脈沖發(fā)生裝置

重復(fù)頻率：＞20~30次/s

光脈沖關(guān)斷時(shí)間：0.2-1μs，余輝＜1μs

紅外光源波長：1.06-1.09μm（測(cè)量硅單晶），紅外光在硅單晶內(nèi)穿透深大于500μm如測(cè)量鍺單晶壽命需配置適當(dāng)波長的光源

脈沖電源：5A-20A

高頻振蕩源

石英諧振器頻率：30MHz

輸出功率：＞1W

放大器、檢波器

放大倍數(shù)：25倍

頻寬范圍：2Hz-2MHz

光源電極臺(tái)：可測(cè)縱向放置的單晶、豎放單晶橫載面的壽命

可測(cè)單晶尺寸：

斷面豎測(cè)：直徑25-150，厚2mm-500mm

縱向臥測(cè)：直徑5mm-150mm，長50mm-800mm

讀數(shù)方式：可選配測(cè)試軟件或數(shù)字示波器讀數(shù)

測(cè)試軟件：具有自動(dòng)保存數(shù)據(jù)及測(cè)試點(diǎn)衰減波形，可進(jìn)行查詢歷史數(shù)據(jù)和導(dǎo)出歷史數(shù)據(jù)等操作。

高頻光電導(dǎo)壽命測(cè)試儀/高頻光電導(dǎo)少子壽命測(cè)試儀（學(xué)校用）

型號(hào)：KDKLT-1

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