什么是三溫測試？

三溫測試是指對芯片在三種不同溫度條件下（常溫、低溫、高溫）進行的性能測試，旨在全面評估芯片在不同環境溫度下的可靠性和穩定性。具體包括：

常溫測試：在室溫（25℃左右）下進行，作為基準測試條件，評估芯片在正常工作環境下的性能表現。

低溫測試：在芯片的低工作溫度以下進行，一般為-40℃至0℃甚至更低，考驗芯片的低溫啟動能力和在寒冷條件下的穩定性。

高溫測試：在芯片的高工作溫度以上進行，一般為70℃至125℃甚至更高，加速芯片內部的物理和化學變化，暴露潛在的可靠性問題。

為什么在FT中進行三溫測試？

在FT階段引入三溫測試，主要基于以下關鍵需求：

1.捕捉溫度敏感性缺陷，提升測試覆蓋率

芯片在JI端溫度下易暴露常溫測試無法發現的隱性缺陷：高溫：漏電流增大、時序偏移、散熱失效、材料熱膨脹導致連接斷裂。低溫：材料脆化、電源啟動異常、時鐘抖動、晶體管閾值電壓漂移。

通過三溫測試可覆蓋更廣的失效模式，提高缺陷檢出率，避免客戶退貨風險。

2.驗證寬溫區可靠性，滿足嚴苛應用場景

行業標準要求：汽車電子（AEC-Q100）、工業設備等要求芯片支持-40℃~125℃甚至更寬溫度范圍。實際應用需求：如車規芯片需在發動機艙高溫（>85℃）或極寒地區（-40℃）穩定運行，三溫測試模擬真實環境，確保芯片全生命周期可靠性。

3.確定芯片工作溫度邊界，指導設計優化

通過測試芯片在高溫和低溫條件下的性能參數，如zui大頻率、功耗和信號完整性，來確定其有效工作范圍。識別溫度敏感參數，推動設計加固，例如增加溫度補償電路。

4.評估熱應力耐受性，預防早期失效

溫度循環測試：在FT中穿插高低溫快速切換，檢測芯片因材料熱膨脹系數差異導致的焊點開裂、分層等機械失效。加速老化測試：高溫環境下運行芯片，加速電遷移、氧化層退化等故障，預測長期可靠性。

5.優化量產良率與成本效益

篩選潛在缺陷：剔除因工藝波動（如金屬線寬偏差）導致溫漂超標的芯片，提升出廠良率。三溫方案以較低成本覆蓋主要失效模式，比較適合量產節奏，大大提高了產品的質量和競爭力。

三溫測試的流程？

1.準備工作

確定溫度范圍：根據芯片規格確定測試的溫度范圍，通常三溫測試的溫度范圍為-40℃至125℃。

準備測試設備：準備好三溫測試機臺或儀器，一般包括恒溫槽、控溫器、溫度傳感器等設備。

2.設備連接及設置

設置溫度范圍：根據測試要求設置測試設備的溫度范圍，通常需要進行預熱操作以達到目標溫度。

校準溫度：使用溫度傳感器等設備對測試設備進行校準，確保溫度控制準確可靠。

連接芯片樣品：將芯片樣品放入測試設備中，并確保所有連接線路正確連接。

3.執行測試

冷啟動測試：將測試設備降溫至所需低溫，待溫度穩定后進行冷啟動測試，即在低溫環境下測試芯片性能。

穩定測試：在設備穩定后進行長時間的穩定測試，通常要持續幾小時，以驗證芯片在不同溫度下的穩定性。

熱啟動測試：將溫度調高至高溫范圍，進行熱啟動測試，驗證芯片在高溫環境下的性能。

循環測試：根據需要進行多次循環測試，以模擬芯片在實際使用環境中可能遇到的溫度變化。

4.測試結束

數據記錄與分析：記錄測試過程中的所有數據，包括芯片的性能參數、溫度變化等，并進行詳細分析。

結果判定：根據測試結果判定芯片是否符合設計要求和質量標準。