濕法清洗主要用于去除工件表面或環境中的顆粒污染物、有機物、金屬殘留、氧化物等，而非直接針對氣體。但在半導體制造、光伏等高潔凈度要求的領域，濕法清洗可能間接涉及去除某些氣態污染物或抑制氣體相關的污染問題，例如：

1. 直接去除的污染物（非氣體）

顆粒污染物：如灰塵、硅片切割殘留的微顆粒、光刻膠殘留等；

有機物：光刻膠、助焊劑、油污等有機殘留物；

金屬污染：銅、鋁、鐵等金屬離子或微粒（例如在半導體制程中，金屬污染可能導致器件失效）；

氧化物：如硅片表面的自然氧化層（SiO?）、金屬氧化膜等。

2. 與氣體相關的間接作用

去除吸附在表面的氣體分子：
某些工藝氣體（如氧氣、氮氧化物）可能吸附在工件表面，形成化學吸附層。濕法清洗通過化學反應或物理沖刷，可去除這些吸附的氣體分子或其反應產物。

抑制氣態副產物的產生：
在清洗過程中，清洗液可能與表面物質反應生成揮發性氣體（如酸霧、氫氣等）。通過濕法清洗的液體環境，可有效抑制這些氣態副產物的釋放或擴散。

清除氣態污染物的前驅體：
例如，在半導體制造中，濕法清洗可去除光刻膠中的有機成分，避免后續高溫工藝中有機成分揮發形成氣態污染物（如碳氧化物、揮發性有機物VOCs）。

3. 典型應用場景

半導體制程：
濕法清洗用于去除光刻、蝕刻、沉積等工藝后的表面殘留物（如光刻膠、蝕刻產物），防止這些污染物在后續高溫步驟中揮發成氣態雜質，影響薄膜生長或器件性能。

光伏電池片清洗：
去除硅片表面的油污、金屬顆粒等，避免在燒結或鍍膜過程中產生氣態污染或缺陷。

濕法清洗的核心目標是去除表面固態或液態污染物，而非直接針對氣體。但在高精密制造中，它通過清潔表面間接減少了氣態污染物的產生風險，例如抑制揮發性有機物（VOCs）的釋放或防止吸附氣體對工藝造成影響。如需針對特定氣體（如惰性氣體、腐蝕性氣體）的處理，通常需要結合其他技術（如真空系統、氣體凈化裝置等）。