一、測(cè)試目的

1. 驗(yàn)證高溫適應(yīng)性：確保芯片在高溫環(huán)境中不出現(xiàn)功能失效、性能衰退或物理?yè)p壞（如電路燒毀、封裝融化等）。

2. 暴露熱設(shè)計(jì)缺陷：通過(guò)高溫加速暴露芯片散熱設(shè)計(jì)、材料耐高溫性或工藝缺陷（如熱應(yīng)力集中、焊料融化等）。

3. 符合車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)：滿足汽車電子行業(yè)（如 AEC-Q100、ISO 16750-2 等）對(duì)芯片耐高溫性能的強(qiáng)制要求，確保芯片適用于車載高溫場(chǎng)景（如引擎艙、功率模塊附近）。

二、測(cè)試設(shè)備與原理

1. 主要設(shè)備：高溫試驗(yàn)箱（烘箱）

• 結(jié)構(gòu)特點(diǎn)：

• 具備高精度溫控系統(tǒng)，可模擬恒定高溫環(huán)境（如 85℃~175℃），部分設(shè)備支持濕度加載（如高溫高濕測(cè)試）。

• 箱內(nèi)溫度均勻性通常控制在 ±2℃以內(nèi)，支持長(zhǎng)時(shí)間連續(xù)運(yùn)行（數(shù)百至數(shù)千小時(shí)）。

• 核心參數(shù)：

• 溫度范圍：常見為 - 70℃~200℃，車規(guī)測(cè)試高溫端通常為 125℃、150℃或更高（如 Grade 0 標(biāo)準(zhǔn)下的 175℃）；

• 升溫速率：可設(shè)定為 5℃/min~20℃/min，部分設(shè)備支持快速升溫。

2. 測(cè)試原理

• 恒定高溫暴露：
  芯片樣品在設(shè)定高溫下持續(xù)工作或靜置，通過(guò)監(jiān)測(cè)其電氣性能（如電壓、電流、邏輯功能）和物理狀態(tài)（如外觀變形、焊點(diǎn)融化）評(píng)估可靠性。

• 高溫工作測(cè)試：
  模擬芯片在高溫下的實(shí)際負(fù)載場(chǎng)景（如滿負(fù)荷運(yùn)行），檢測(cè)其是否因發(fā)熱導(dǎo)致性能下降（如頻率降頻、信號(hào)延遲增加）。

• 失效判定依據(jù)：

• 電氣性能：超過(guò)規(guī)格書規(guī)定的閾值（如工作電壓波動(dòng) ±5%、時(shí)鐘頻率偏差 ±1%）；

• 物理?yè)p壞：封裝材料碳化、引腳氧化、芯片內(nèi)部短路等。

三、測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)與流程

1. 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

• AEC-Q100（汽車電子可靠性標(biāo)準(zhǔn)）：

• 芯片在非工作狀態(tài)下暴露于高溫（如 150℃、175℃）中存儲(chǔ) 1000 小時(shí)，驗(yàn)證材料長(zhǎng)期耐高溫能力。

• 要求芯片在最高工作溫度（如 125℃、150℃）下持續(xù)運(yùn)行 1000 小時(shí)以上，期間定期檢測(cè)電氣性能。

• 高溫工作壽命測(cè)試（High Temperature Operating Life, HTOL）：

• 高溫存儲(chǔ)測(cè)試（High Temperature Storage, HTS）：

• 其他標(biāo)準(zhǔn)：

• ISO 16750-2：規(guī)定車載電子設(shè)備的高溫工作極限（如引擎艙內(nèi)設(shè)備需耐受 125℃）；

• JEDEC J-STD-033：半導(dǎo)體器件的高溫烘焙處理標(biāo)準(zhǔn)（用于濕度敏感度測(cè)試前的預(yù)處理）。

2. 測(cè)試流程

1. 樣品準(zhǔn)備：

• 芯片需完成封裝（如 BGA、LGA 等）并焊接至測(cè)試夾具或 PCB 板，部分測(cè)試需模擬實(shí)際應(yīng)用中的散熱條件（如安裝 heatsink、涂覆導(dǎo)熱硅脂）。

2. 初始檢測(cè)：

• 測(cè)試前進(jìn)行全功能電氣性能測(cè)試，記錄初始數(shù)據(jù)（如功耗、信號(hào)完整性）。

3. 高溫測(cè)試執(zhí)行：

• 案例 1：HTOL 測(cè)試

  階段	溫度	持續(xù)時(shí)間	檢測(cè)頻率
  高溫工作	125℃	1000 小時(shí)	每 24 小時(shí)抽檢

• 案例 2：高溫存儲(chǔ)測(cè)試

  階段	溫度	持續(xù)時(shí)間	檢測(cè)節(jié)點(diǎn)
  高溫存儲(chǔ)	150℃	1000 小時(shí)	0 小時(shí)、500 小時(shí)、1000 小時(shí)（檢測(cè)外觀及電氣性能）

4. 中間及最終檢測(cè)：

• 測(cè)試中定期抽檢（如每 100 小時(shí)），測(cè)試結(jié)束后進(jìn)行全面電氣性能測(cè)試和物理分析（如 X 射線檢測(cè)焊點(diǎn)、SAM 掃描檢測(cè)分層）。

5. 失效分析：

• 若出現(xiàn)性能異常或物理?yè)p壞，通過(guò)紅外熱成像、能譜分析（EDS）等手段定位原因（如芯片結(jié)溫超標(biāo)、封裝材料熱降解），并推動(dòng)設(shè)計(jì)改進(jìn)（如優(yōu)化熱傳導(dǎo)路徑、更換耐高溫封裝材料）。

四、常見失效模式與原因

1. 電氣失效：

• 晶體管退化：高溫加速半導(dǎo)體器件老化，導(dǎo)致閾值電壓漂移、漏電流增加；

• 互連失效：金屬導(dǎo)線（如鋁、銅）在高溫下發(fā)生電遷移（Electromigration），形成開路或短路；

• ESD 保護(hù)失效：高溫下靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)性能下降，導(dǎo)致芯片易受瞬態(tài)電壓沖擊。

2. 物理失效：

• 封裝變形 / 融化：環(huán)氧樹脂基封裝材料玻璃化轉(zhuǎn)變溫度（Tg）不足，導(dǎo)致高溫下軟化或開裂；

• 焊點(diǎn)失效：焊料（如 SnPb）在高溫下發(fā)生蠕變，或與引腳金屬間形成脆性金屬間化合物（IMC）層；

• 芯片裂紋：芯片與封裝基板熱膨脹系數(shù)不匹配（CTE 失配），導(dǎo)致熱應(yīng)力集中開裂。

3. 熱管理失效：

• 散熱設(shè)計(jì)不足（如熱沉面積過(guò)小、導(dǎo)熱路徑斷裂），導(dǎo)致芯片結(jié)溫（Tj）超過(guò)額定值（如 datasheet 規(guī)定的 Tjmax=150℃）。

五、測(cè)試的關(guān)鍵影響因素

1. 芯片結(jié)溫（Tj）控制：

• 結(jié)溫是衡量芯片耐高溫能力的核心指標(biāo)，需通過(guò)熱仿真（如 ANSYS Icepak）和實(shí)測(cè)（如紅外測(cè)溫、熱電偶）確保測(cè)試中 Tj 不超過(guò)設(shè)計(jì)極限。

2. 散熱條件模擬：

• 測(cè)試夾具需盡可能還原芯片在車內(nèi)的實(shí)際安裝方式（如與金屬底板接觸、周圍元件布局），避免因散熱差異導(dǎo)致測(cè)試結(jié)果失真。

3. 長(zhǎng)期老化效應(yīng)：

• 高溫測(cè)試需足夠長(zhǎng)的持續(xù)時(shí)間（如 1000 小時(shí)），以模擬芯片在車輛生命周期內(nèi)（約 10 年）的累積老化效應(yīng)。

六、技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)

1. 更高溫測(cè)試需求：

• 隨著新能源汽車（如 SiC 功率器件、800V 高壓平臺(tái)）的普及，車載芯片需耐受更高溫度（如 175℃以上），推動(dòng)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)向 Grade 0 + 升級(jí)。

2. 原位實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)：

• 采用片上溫度傳感器或光纖測(cè)溫技術(shù)，在高溫測(cè)試中實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)芯片局部溫度分布，精準(zhǔn)定位熱點(diǎn)區(qū)域。

3. 熱 - 電耦合測(cè)試：

• 結(jié)合高溫環(huán)境與動(dòng)態(tài)電負(fù)載（如脈沖電流、高頻信號(hào)），模擬芯片在工況下的綜合性能（如高溫下的功耗 - 溫度反饋效應(yīng)）。