1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產寬束離子源, 根據設計原理分為考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項成果. KRi 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光工藝 IBF 等領域,。

   美國KRI RFICP 220型離子源參數介紹如下：

陽極

電感耦合等離子體
2kW & 2 MHz
射頻自動匹配

最大陽極功率

>1kW

最大離子束流

> 1000mA

電壓范圍

100-1200V

離子束動能

100-1200eV

氣體

Ar, O2, N2, 其他

流量

5-50 sccm

壓力

< 0.5mTorr

離子光學, 自對準

OptiBeamTM

離子束柵極

22cm Φ

柵極材質

鉬

離子束流形狀

平行,聚焦,散射

中和器

LFN 2000 or RFN

高度

30 cm

直徑

41 cm

鎖緊安裝法蘭

10”CF

適用于離子濺鍍, 離子沉積和離子蝕刻. 在離子束濺射工藝中, 射頻離子源 RFICP 220 配有離子光學元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實現更佳的薄膜特性. 同樣的在離子束輔助沉積和離子束刻蝕工藝中, 離子光學元件能夠完成發散和聚集離子束的任務. 標準配置下射頻離子源 RFICP 220 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 1000 mA.

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