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?半導體行業主要由三部分組成：硅片（Silicon Wafer）生產、集成電路（IC）制造和印刷電路板（PCB）制造。涉及的主要工藝包括酸洗、清洗、蝕刻、光刻、電鍍等。每種工藝都會用到特定組分和濃度的化學溶液。溶液成分的監測和控制對產品質量至關重要。
例如，在氯化銅蝕刻液中，蝕刻速率取決于游離酸濃度，而蝕刻過程中生成的亞銅也會降低蝕刻速率，因此必須對其濃度加以監測和控制。滴定分析方法因簡單、快速且成本低，在半導體工業中獲得了很大的應用。
銅蝕刻的不同階段
滴定法可以用來分析溶液中的多種成分，如：
酸/堿：H2SO4, HCl, NaOH，H3BO4，HNO3, HF, CH3COOH, H3PO4，CO32-
金屬陽離子：Cu2+, Cr6+, Cr3+，Sn2+，Fe2+，Ni2+，Zn2+，Ag+，Ba2+，Au3+
亞磷酸鹽：Na2HPO3 ， NaH2PO2
其他：過氧化氫(H2O2)，氰化物，氯化物，混酸，絡合劑，表面活性劑等。
1、混酸蝕刻液/清洗液
樣品：CH3COOH : H3PO4 : HNO3混酸
原理：
HX+OH- = H2O+X-
根據樣品中各酸組分的酸性強弱不同，通過酸堿滴定，將各組分加以區分
滴定液: 0.1 mol/L NaOH
電極：DGi111-SC pH電極
結果：
2、鎳電鍍液
樣品：鎳電鍍液
原理：
Ni2++EDTA2- = EDTA-Ni
Ni2+在pH10的條件下，與EDTA-2Na形成穩定的絡合物。滴定終點時，指示劑發生變色，通過光度電極指示。
滴定液: 0.1 mol/L EDTA
電極：DP5 光度電極
結果：
3、過氧化氫
樣品：H2O2/H2SO4 或H2O2/NH4OH
原理：
2MnO4- + 5H2O2 + 6H+ = 8H2O + 5O2+ 2Mn2+
H2O2和KMnO4在硫酸存在的條件下發生上述反應，反應終點通過鉑環電極指示。
滴定液: 0.1 mol/L 1/5 KMnO4
電極：DMi140-SC或DMi147-SC Pt環電極
結果：
4、氯離子
樣品：銅電鍍液
Ag+ + Cl- = AgCl
Ag+和Cl-發生上述反應生成沉淀，反應終點通過銀環電極指示。
滴定液: 0.01 mol/L AgNO3
電極：DMi141-SC或DMi148-SC 銀環電極
結果：
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