為射頻器件提供更快刻蝕方式 — 牛津儀器等離子技術(shù)Mark Dineen博士為您解讀

對射頻器件來說，平穩(wěn)快速的碳化硅背部刻蝕對高性能、高性價比的半導(dǎo)體來說是至關(guān)重要的。正如氮化鎵高功率射頻器件市場，牛津儀器提供了一種易于制造深孔刻蝕的工藝。牛津儀器等離子技術(shù)市場Mark Dineen博士稱在《復(fù)合半導(dǎo)體》刊物中就此技術(shù)做出闡述。

“就在上個月，牛津儀器等離子技術(shù)展示了使用PlasmaPro 100 Polaris刻蝕系統(tǒng)對碳化硅進行深孔刻蝕的工藝。

當(dāng)寬帶隙材料對氮化鎵高功率射頻器件越來越重要時，單晶圓刻蝕系統(tǒng)須呈現(xiàn)出更快更平穩(wěn)的深孔碳化硅刻蝕，旨在為氮化鎵、藍寶石和碳化硅晶片等進行快速刻蝕。

通往平穩(wěn)刻蝕碳化硅的道路任重而道遠。碳化硅背面刻蝕對通過氮化鎵晶體管形成一個接觸電極而言至關(guān)重要。然而，堅硬的碳化硅材質(zhì)對刻蝕而言是一辛苦的工藝，世界各地的研究人員正在努力克服尋求應(yīng)對較好處理襯底材質(zhì)硬度接近鉆石的方法。牛津儀器等離子技術(shù)為您解答…”

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刻蝕氮化鎵技術(shù)：

• 采用感應(yīng)耦合等離子體源（2或13兆赫茲）進行反應(yīng)離子刻蝕
• 感應(yīng)耦合等離子體
• 射頻驅(qū)動基板電極

結(jié)果：

• 速率：2微米/分鐘
• 對SiO2掩模的選擇比25：1
• 良好的均勻性
• 表面光滑