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簡要描述：批量式電漿輔助氣相沉積設備為一種使用化學氣相沉積技術，可為沉積反應提供能量。與傳統(tǒng)的CVD方法相比，可在較低的溫度下沉積各種薄膜且不會降低薄膜質(zhì)量。

簡要描述：FPD-PECVD 電漿輔助化學氣相沉積：隨著LCD面板和制造所需玻璃的尺寸的增加，其制造設備也變得更大，需要越來越大的設備投資。SYSKEY針對中小...

簡要描述：感應耦合電漿化學氣相沉積設備是一種使用ICP的化學氣相沉積技術，可為沉積反應提供一些能量。與PECVD方法相比，ICP-CVD可以在較低的溫度下沉積各...

簡要描述：低真空化學氣相沉積設備是一種化學氣相沉積技術，利用熱能在基板表面上引發(fā)前驅(qū)氣體的反應。表面的反應是形成固化材料的原因。

簡要描述：電漿輔助式化學氣相沉積設備是一種使用電漿的化學氣相沉積(CVD)技術，可為沉積反應提供一些能量。與傳統(tǒng)的CVD方法相比，PECVD可以在較低的溫度下沉...

簡要描述：化學氣相沉積為一種薄膜沉積方法，其中將基材暴露于一種或多種揮發(fā)性氣體中，在基板表面上反應或分解以生成所需的薄膜沉積物。這種方法通常用于在真空環(huán)境中制造...

簡要描述：PECVD等離子沉積設備DEPOLAB 200根據(jù)其模塊化設計，PECVD Depolab 200可升級為更大的真空泵組，低頻射頻源和更多的氣路。

簡要描述：帶預真空室的化學氣相沉積設備SI 500 PPD的特色是預真空室和干泵裝置，用于無油、高產(chǎn)量和潔凈的化學氣相沉積過程。

簡要描述：等離子沉積設備SI 500 D低刻蝕速率，高擊穿電壓，低應力、不損傷襯底以及在低于100#176;C的沉積溫度下的低界面態(tài)密度，使得所沉積的薄膜具有優(yōu)...

簡要描述：化學氣相沉積系統(tǒng)PECVD沉積設備SI 500 PPD便于在從室溫到350℃的溫度范圍內(nèi)進行SiO2、SiNx、SiOxNy和a-Si的標準的化學氣相...

簡要描述：三到六個端口傳送腔室可用于集成ICP等離子刻蝕機、RIE刻蝕機、原子層沉積系統(tǒng)、PECVD和ICPECVD沉積設備，以滿足研發(fā)的要求。樣品可以通過預真...

簡要描述：SENTECH二維材料刻蝕沉積能夠在低溫100C下高均勻度和高保形性地覆蓋敏感襯底和膜層，在樣品表面提供高通量的反應性氣體，而不受紫外線輻射或離子轟擊...

簡要描述：原子層沉積設備：真遠程等離子體源能夠在低溫100C下高均勻度和高保形性地覆蓋敏感襯底和膜層，在樣品表面提供高通量的反應性氣體，而不受紫外線輻射或離子轟...

簡要描述：PECVD等離子沉積設備Depolab 200是SENTECH基本的等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)設備，它結合了用于均勻薄膜沉積的平行板電極設...

簡要描述：帶預真空室的化學氣相沉積設備PECVD沉積設備SI 500 PPD便于在從室溫到350℃的溫度范圍內(nèi)進行SiO2、SiNx、SiOxNy和a-Si的標...

簡要描述：X射線探傷機2公司制造X射線工業(yè)設備用于控制產(chǎn)品質(zhì)量，如應用于汽車、航空和食品等部門。此外，公司制造的X射線設備也應用于醫(yī)療和安全部門。每個產(chǎn)品在國內(nèi)...

簡要描述：X射線探傷機X 射線工業(yè)設備用于控制產(chǎn)品質(zhì)量，如應用于汽車、航空航天、管件、研究所和食品等不同行業(yè)。此外，制造的 X 射線設備也應用于醫(yī)療和安檢部門。...

激光掃描圖形檢測系統(tǒng)簡要描述：激光掃描系統(tǒng)該儀器被設計用于工藝和材料的質(zhì)量監(jiān)控，例如單晶或多晶硅。多晶硅磚切割標準的自動輸出。能夠根據(jù)爐子的輸出質(zhì)量進行單獨的爐...