国产一级a毛一级a看免费视频,久久久久久国产一级AV片,免费一级做a爰片久久毛片潮,国产精品女人精品久久久天天,99久久久无码国产精品免费了

CVD是化學氣相沉積的簡稱，是半導體工業中應用最為廣泛的用來沉積多種材料的技術，理論上即：兩種或兩種以上的氣態原材料導入到一個反應室內，然后他們相互之間發生化學反應，形成一種新的材料，沉積到晶片表面上。所以普通CVD實驗設備則由三套及以上的設備組合而成即：高溫爐（提供實驗溫度）+供氣系統（提供多種氣體混合）+真空系統（提供真空實驗環境）。

化學氣相沉積（CVD）設備的靈活度很高，客戶可根據自己實驗要求選擇合適的產品來組合，或者直接選擇CVD套裝。

一、高溫爐的選擇

     一般都是選擇管式爐，管式爐為CVD實驗提供材料沉積所需要的溫度。根據材料的大小，以及實驗需要的溫度選擇合適溫度，合適口徑的管式爐。

二、供氣系統選擇：

     供氣系統即混氣裝置，它可以實現2種或者2種以上的氣體或者蒸汽按照一定的比例來混合，然后通入高溫爐中。供氣系統中使用了不同種類的流量計，根據氣體的性質決定。本公司的供氣系統流量計一般使用了2類，見如下說明：

1.氣體流量計：

浮子流量計：氣體通過普通的浮子流量計粗略的估計進氣量。

質量流量計：氣體通過D07質量流量計精確控制進氣量。

2、氣液混合流量計：

用于液體高溫氣化后導入CVD系統的設備。

三、真空系統選擇：

      真空系統為CVD實驗提供實驗的真空環境，將管式爐中的空氣抽走，達到真空的環境。客戶根據自己實驗所需真空度大小及實驗所需清潔程度來選擇合適的真空裝置。

（1）低真空系統。采用雙級真空泵，標配電阻規真空計；

（2）高真空系統。采用進口分子泵，自帶真空計或者采用國產分子泵，自帶真空計。