修整環(huán) 參考價：面議
修整環(huán)用于研磨拋光時對載樣盤限位，以及對研磨盤平面進行修正，從而提高研磨盤的平面度。可用于UNIPOL-802、UNIPOL-1202、UNIPOL-1502等...
1700℃箱式爐（36L）KSL-1700X-A4 參考價：面議
1700℃箱式爐（36L）KSL-1700X-A4采用側(cè)開式爐門，以硅鉬棒為加熱元件，智能溫度調(diào)節(jié)儀和B型雙鉑銠熱電偶配套使用，對爐內(nèi)溫度進行測溫調(diào)節(jié)和自動控制...
1700℃立式高溫管式爐GSL-1700X-80VT 參考價：面議
1700℃立式高溫管式爐GSL-1700X-80VT采用硅鉬棒進行加熱，Z高溫度可以達到1700℃，專門針對于材料在真空或氣氛保護環(huán)境下的燒結(jié)。溫控系統(tǒng)采用PI...
大口徑管式真空氣氛爐GSL-1100X 參考價：面議
大口徑管式真空氣氛爐GSL-1100X采用高純石英管，外徑規(guī)格有6″、8″、8.5″、11″可選，并配有不銹鋼法蘭，可進行抽真空或通入其他氣氛氣體操作，主要用于...
1100℃豎式馬弗爐GSL-1100D11 參考價：面議
1100℃豎式馬弗爐GSL-1100D11是大型的豎式馬弗爐，其Z高溫度為1100℃，精確的溫控系統(tǒng)包含了30段升溫和降溫曲線設置，其控溫精度達到± ...
HPM-12助力手動壓力機 參考價：面議
HPM-12助力手動壓力機主要用于材料壓制，在壓制過程中對物體施加的力逐漸增加，直到下限點達到Z大壓力。
HPM-1.6恒力手動壓力機 參考價：面議
HPM-1.6恒力手動壓力機主要用于材料壓制，在壓制過程中對物體施加相等的壓力。
1000℃臥式馬弗爐 參考價：面議
1000℃臥式馬弗爐爐襯使用真空成型高純氧化鋁聚輕材料，采用電阻絲為加熱元件，且均勻地分布六面墻體，有效的保證了溫場的均勻性。測溫采用性能穩(wěn)定、長壽命的“S"型...
1200℃開啟式雙溫區(qū)管式爐OTF-1200X-II 參考價：面議
1200℃開啟式雙溫區(qū)管式爐OTF-1200X-IIZ高溫度可達到1200℃，并可通過調(diào)節(jié)兩個獨立的控溫程序，使爐管內(nèi)溫度場形成一梯度。本機可用CVD方法來生長...
4″高真空RTP爐OTF-1200X-4-RTP-HV 參考價：面議
4″高真空RTP爐OTF-1200X-4-RTP-HV 是一款精巧型快速熱處理管式爐，配有4″石英管及高真空系統(tǒng)（機械泵+分子泵）， 是專為半導體或太陽能電池基...
可滑動RTP爐OTF-1200X-4-RTP-SL 參考價：面議
可滑動RTP爐OTF-1200X-4-RTP-SL是一種快速熱處理爐，采用紅外燈加熱和移動爐體快速冷卻，可獲得Z高升溫速率為100°C/s 、降溫速率...
1200℃ 單管滑動快速加熱冷卻爐OTF-1200X-80SL 參考價：面議
1200℃單管滑動快速加熱冷卻爐OTF-1200X-80SL底部安裝一對滑軌，可手動進行爐體移動，Z高工作溫度達1200°C，加熱和冷卻速率在真空或者...
雙管滑動快速加熱冷卻爐OTF-1200X-4-C4LVS 參考價：面議
雙管滑動快速加熱冷卻爐OTF-1200X-4-C4LVS是特殊的雙管CVD系統(tǒng)，是專為在金屬箔上生長薄膜而設計的，特別適用于新一代能源——柔性金屬箔電極方面的研...
1100℃雙管三溫區(qū)管式爐（石墨烯生長）GSL-1100X-III-D11-8 參考價：面議
1100℃雙管三溫區(qū)管式爐（石墨烯生長）GSL-1100X-III-D11-8外爐管直徑達到11″，內(nèi)管直徑8.5″，在加熱管一端裝有一對高真空不銹鋼法蘭，法蘭...
可滑動RTP爐 OTF-1200X-4-RTP-SL 參考價：面議
可滑動RTP爐OTF-1200X-4-RTP-SL是一種快速熱處理爐，采用紅外燈加熱和移動爐體快速冷卻，可獲得Z高升溫速率為100°C/s 、降溫速率...
1200℃單管滑動快速加熱冷卻爐OTF-1200X-80SL 參考價：面議
1200℃單管滑動快速加熱冷卻爐OTF-1200X-80SL底部安裝一對滑軌，可手動進行爐體移動，Z高工作溫度達1200°C，加熱和冷卻速率在真空或者...
1200℃雙管滑動式四通道混氣CVD系統(tǒng)OTF-1200X-4-C4LV 參考價：面議
1200℃雙管滑動式四通道混氣CVD系統(tǒng)OTF-1200X-4-C4LV是專門為在金屬箔表面生長薄膜而設計的，特別是應用在新一代能源——柔性金屬箔電極方面的研究...
1200℃雙管三溫區(qū)管式爐（石墨烯生長）OTF-1200X-III-D5-4 參考價：面議
1200℃雙管三溫區(qū)管式爐（石墨烯生長）OTF-1200X-III-D5-4Z高工作溫度可以達到1200℃，專門針對于用CVD方法在金屬箔上生長薄膜物質(zhì)，如石墨...
快速升溫CVD系統(tǒng)RTP-1000-F3LV 參考價：面議
快速升溫CVD系統(tǒng)RTP-1000-F3LV是專為半導體基片、太陽能電池及其它樣品（尺寸可達3″ ）的退火而設計，配有3路流量計和機械泵。本機采用 9KW的紅外...
開啟式單溫區(qū)低真空CVD系統(tǒng)OTF-1200X-F3LV 參考價：面議
開啟式單溫區(qū)低真空CVD系統(tǒng)OTF-1200X-F3LV是由開啟式單溫區(qū)管式爐、機械泵、三通道浮子混氣系統(tǒng)組成，可為CVD或擴散實驗提供1-3種的混合氣體，真空...
高真空CVD系統(tǒng)OTF-1200X-80-C2HV 參考價：面議
高真空CVD系統(tǒng)OTF-1200X-80-C2HV是由單溫區(qū)管式爐、兩路質(zhì)子混氣系統(tǒng)和高真空機組組成，Z高工作溫度可達1200℃，混氣系統(tǒng)可以對兩種氣體進行精確...
1200℃雙管滑動式四通道混氣CVD系統(tǒng) OTF-1200X-4-C4LV 參考價：面議
1200℃雙管滑動式四通道混氣CVD系統(tǒng)OTF-1200X-4-C4LV是專門為在金屬箔表面生長薄膜而設計的，特別是應用在新一代能源——柔性金屬箔電極方面的研究...
高真空快速CVD系統(tǒng)OTF-1200X-4-RTP-C3HV 參考價：面議
高真空快速CVD系統(tǒng)OTF-1200X-4-RTP-C3HV是由4″RTP爐、三通道混氣系統(tǒng)和高真空機組組成，可進行半導體基片、太陽能電池及其它樣品（尺寸可達3...
帶滑動法蘭三溫區(qū)CVD系統(tǒng)OTF-1200X-5-III-F3LV 參考價：面議
帶滑動法蘭三溫區(qū)CVD系統(tǒng)OTF-1200X-5-III-F3LV可以快速加熱至1200℃，并通過調(diào)整三個溫區(qū)而建立不同梯度的熱場，可進行退火、擴散、在不同氣氛...
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