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?霍爾遷移率（Hall mobility）是指霍爾系數RH與電導率σ的乘積，即│RH│σ，具有遷移率的量綱，因此特別稱為霍爾遷移率，表示為μH =│RH│σ?。?12
霍爾遷移率是霍爾系數RH與電導率σ的乘積。在簡單情況下，霍爾遷移率μH等于載流子的電導遷移率μ，但在考慮速度分布的情況下，兩者可能不相等。只有在不考慮速度分布的情況下，霍爾遷移率才等于電導遷移率。
霍爾遷移率在電子材料中是一個重要指標，特別是在GaN基HEMT結構材料中。高電子遷移率可以提升器件的工作速度和效率，減少膝點電壓，從而使器件在較高頻率下工作，具有更高的效率。
在霍爾效應傳感器中，自由電子的移動能力通過遷移率來量化，這是衡量電子在材料中移動難易程度的關鍵指標。遷移率典型范圍一般在5至50平方厘米/伏秒之間
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