HBN薄膜，單層氮化硼薄膜，銅基底

中文名稱：單層氮化硼薄膜(銅基)，HBN薄膜

英文名稱：Monolayer boron nitride film（HBN）

CAS號：7440-42-8

覆蓋率：100%

基底：Cu

晶粒尺寸：>4 um

單層率：大約80%

應(yīng)用：HBN薄膜可被用作金屬絕緣金屬結(jié)構(gòu)的超薄間隔層，以及電子的隧道阻擋層，使其具有廣泛的應(yīng)用，例如納米電容器、場效應(yīng)隧道晶體管。作為單分子膜還可被用作介質(zhì)或基片。

保存條件：常溫干燥避光密封保存，保存期限半年。

HBN薄膜，單層氮化硼薄膜，銅基底

單層氮化硼薄膜（銅基）通常指的是在銅基底上制備的單層氮化硼（h-BN）薄膜。氮化硼是一種由硼和氮原子組成的二維晶格結(jié)構(gòu)材料，類似于石墨烯。它具有一些性質(zhì)，如良好的熱穩(wěn)定性、電絕緣性和光學(xué)透明性。

在制備單層氮化硼薄膜時，通常會采用化學(xué)氣相沉積（CVD）等技術(shù)，將氮化硼沉積在銅基底上，形成單層薄膜結(jié)構(gòu)。這種結(jié)構(gòu)可以在電子器件、光電子器件和其他應(yīng)用中發(fā)揮作用。

HBN薄膜的特性使其在一些領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用，例如作為絕緣層、潤滑材料、二維材料堆疊中的組裝層等。

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以上資料來自西安昊然生物小編JMY 2024.1.22.         

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