新型近紅外調(diào)制器：低半波電壓，超帶寬，高激光承受功率。

iXblue Photonics 提供波段在760-1150nm的近紅外相位和強度調(diào)制器，帶寬高達40GHz

 iXblue調(diào)制器的主要特性：

• 高激光承受功率，高達25dBm(HOP選項)并提供可靠的穩(wěn)定性

• 低插損：小于2dB(LIL選項)

• 高偏振消光比：大于30dB(HPER選項)

• 超高靜態(tài)消光比：大于60dB(HSER選項)

• 低剩余振幅調(diào)制：大于30dB(LRAM選項)

• 高射頻承受功率：大于33dBm(HEP選項)

• 高帶寬：大于40GHz(WEO-BW選項)

高激光承受功率

鈮酸鋰調(diào)制器在短波長時更容易受到光折變(Photorefractive)的影響。這個效應限制了調(diào)制器的性能，例如，插損和消光比的穩(wěn)定性，激光承受功率，漂移。。。

為了解決該問題，iXblue所有的近紅外調(diào)制器均基于X-cut晶向，并且在鈮酸鋰基底上使用質(zhì)子交換工藝。

基于這種新設計，并且經(jīng)過無數(shù)次的驗證，iXblue現(xiàn)在可以為近紅外調(diào)制器提供的性能，包括：1064nm波長300mW的承受功率，850nm波長50mW的承受功率，780nm波長超過20mW的承受功率。

除此以外，iXblue依舊提供可選低插損選擇，這使得iXblue相位調(diào)制器NIR-MPX和NIR-MPX800，強度調(diào)制器NIR-MX-LN和NIR-MX800-LN成為提高調(diào)制光輸出功率的*。

300mW NIR-MX強度調(diào)制去輸出光強的穩(wěn)定性

低半波電壓調(diào)制器

 iXblue開發(fā)了新的射頻電極，用于優(yōu)化X-cut相位調(diào)制器的電-光轉(zhuǎn)化效率。相對于以前的調(diào)制器，半波電壓Vπ被降低了一倍。

通常來說，低半波電壓的調(diào)制器是光譜展寬的關(guān)鍵。iXblue現(xiàn)在推出了新的NIR-MPX-LN-02調(diào)制器，帶寬高達5GHz并且Vπ小于4V。這種新型調(diào)制器能夠比其他市面上任何調(diào)制器都能產(chǎn)生更多的邊帶，并且同樣保證300mW的承受功率。

NIR-MPX-LN-02半波電壓隨頻率的變化

高帶寬調(diào)制器

鈮酸鋰調(diào)制器的一個重要特性就是它的超高帶寬，能夠用于產(chǎn)生超快上升和下降沿的光脈沖，iXblue開發(fā)了可達40GHz的NIR-MX-LN-40強度調(diào)制器。

超高帶寬的NIR-MX-40和NIR-MX800-LN-20能夠產(chǎn)生極短上升沿(幾皮秒)的亞納秒級光脈沖，例如：上升沿7ps的30ps脈寬的脈沖。

對于方波和任意波形，要求高的脈沖對比度和快的上升/下降沿，iXblue強度調(diào)制器滿足您各種應用的需求。

通過NIR-MX-LN-40產(chǎn)生的光脈沖