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原位加熱樣品桿為研究原子尺度納米晶生長模式提供直接證據(jù)！
納米晶體（NCs），也稱為量子點(diǎn)，由于其在諸如發(fā)光二極管、光電探測器和光伏器件等光電應(yīng)用中的性能而引起了很大的關(guān)注。由于具有不同生長模式的NCs通常顯示不同的物理和化學(xué)性質(zhì)，對NCs生長過程的詳細(xì)研究可能有助于更好地理解相變和潛在的生長機(jī)制。
定向附著生長模式是目前許多納米材料的主要生長模式并得到廣泛報(bào)道，定向生長主要是通過高溫下納米材料的自發(fā)空間旋轉(zhuǎn)來實(shí)現(xiàn)，因此需要高的空間自由度。而納米材料在生長過程中會聚集并相互接觸，多界面的接觸會直接導(dǎo)致納米晶空間自由度的下降，然而在實(shí)際研究過程中空間自由度改變對納米材料生長模式的影響往往被忽視，尚未見系統(tǒng)研究報(bào)道。
近日，來自華中科技大學(xué)武漢光電國家研究中心李露穎副教授與光電學(xué)院張建兵副教授合作在Advanced Science上發(fā)表了題為“Hybrid Growth Modes of PbSe Nanocrystals with Oriented Attachment and Grain Boundary Migration”的文章。該團(tuán)隊(duì)以對電子束輻照相對穩(wěn)定的PbSe納米晶為基礎(chǔ)，結(jié)合透射電子顯微鏡與DENSsolutions原位雙傾加熱/加電樣品桿，通過控制體系溫度，從原子尺度研究了納米晶體材料在不同空間自由度情況下的生長模式轉(zhuǎn)變和相應(yīng)的原子運(yùn)動行為。
近日作者通過DENSsolutions原位雙傾加熱/加電樣品桿在180℃、280℃、380℃等不同溫度條件下持續(xù)長時(shí)間的穩(wěn)定加熱操作，樣品桿本身超高的溫度穩(wěn)定性及極低的漂移率，保證了圖像采集的連續(xù)性和原子尺度的高分辨率。
該工作通過原位觀察研究直接證明了納米晶在生長過程中的兩種不同生長模式，并具體分析了不同生長模式下的原子運(yùn)動行為，有助于研究者更好的理解納米晶的生長過程，對相關(guān)納米材料的可控生長具有重要的現(xiàn)實(shí)意義。
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