目錄:北京北廣精儀儀器設(shè)備有限公司>>介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀>>1MHZ介電常數(shù)測試儀>> GDAT-A1Mhz介電常數(shù)/介質(zhì)損耗測定儀
| 產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) | 價格區(qū)間 | 1萬-2萬 |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 農(nóng)林牧漁,能源,電子/電池,汽車及零部件 |
1Mhz介電常數(shù)/介質(zhì)損耗測定儀討論——b:串聯(lián)模型——對于某種具有電介質(zhì)損耗
信號源范圍DDS數(shù)字合成信號 | 10KHZ-70MHz | 10KHZ-110MHz | 100KHZ-160MHz |
信號源頻率覆蓋比 | 7000:1 | 11000:1 | 16000:1 |
信號源頻率精度 6位有效數(shù) | 3×10-5 ±1個字 | 3×10-5 ±1個字 | 3×10-5 ±1個字 |
采樣精度 | 11BIT | 11BIT | 12BIT 高精度的AD采樣，了Q值的穩(wěn)定性，以及低介質(zhì)損耗材料測試時候的穩(wěn)定性 |
Q測量范圍 | 1-1000自動/手動量程 | 1-1000自動/手動量程 | 1-1000自動/手動量程 |
Q分辨率 | 4位有效數(shù),分辨率0.1 | 4位有效數(shù),分辨率0.1 | 4位有效數(shù),分辨率0.1 |
Q測量工作誤差 | <5% | <5% | <5% |
電感測量范圍 4位有效數(shù),分辨率0.1nH | 1nH-8.4H ,分辨率0.1nH | 1nH-8.4H 分辨率0.1nH | 1nH-140mH分辨率0.1nH |
電感測量誤差 | <3% | <3% | <3% |
調(diào)諧電容 | 主電容30-540pF | 主電容30-540pF | 主電容17-240pF |
電容直接測量范圍 | 1pF～2.5uF | 1pF～2.5uF | 1pF～25nF |
調(diào)諧電容誤差 分辨率 | ±1pF或<1% 0.1pF | ±1pF或<1% 0.1pF | ±1pF或<1% 0.1pF |
1Mhz介電常數(shù)/介質(zhì)損耗測定儀
這些試驗方法所用術(shù)語定義以及電絕緣材料相關(guān)術(shù)語定義見術(shù)語標(biāo)準(zhǔn)D1711。
本標(biāo)準(zhǔn)專用術(shù)語定義：
電容，C，名詞——當(dāng)導(dǎo)體之間存在電勢差時，導(dǎo)體和電介質(zhì)系統(tǒng)允許儲存電分離電荷的性能。
討論——電容是指電流電量 q與電位差V之間的比值。電容值總是正值。當(dāng)電量采用庫倫為單位，電位采用伏特為單位時，電容單位為法拉，即：
C=q/V （1）
耗散因子（D），（損耗角正切），（tanδ），名詞——是指損耗指數(shù)（K''）與相對電容率（K'）之間的比值，它還等于其損耗角（δ）的正切值或者其相位角（θ）的余切值（見圖1和圖2）。
D=K''/K' (2)
3.2.2.1 討論——a：
D=tanδ=cotθ=Xp/Rp=G/ωCp=1/ωCpRp(3)
式中：
G=等效交流電導(dǎo)，
Xp=并聯(lián)電抗，
Rp=等效交流并聯(lián)電阻，
Cp=并聯(lián)電容，
ω=2πf（假設(shè)為正弦波形狀）
耗散因子的倒數(shù)為品質(zhì)因子Q，有時成為儲能因子。對于串聯(lián)和并聯(lián)模型，電容器耗散因子D都是相同的，按如下表示為：
D=ωRsCs=1/ωRpCp(4)
串聯(lián)和并聯(lián)部分之間的關(guān)系滿足以下要求：
Cp=Cs/(1 D2) (5)
Rp/Rs=(1 D2)/D2=1 (1/D2)=1 Q2(6)
(空格分隔,最多3個,單個標(biāo)簽最多10個字符)
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