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當前位置：> 供求商機> 半導體分立器件測試系統
1．技術性能指標
1. 物理指標：設備尺寸（mm）：800(寬)×600(長)×1800(高)mm；
2．電學指標
主極電壓2000V
主極電流2500A
控制極電壓20V
控制極電流10A
電壓分辨率1mV
電流分辨率100pA
測試速度5mS/參數
晶體管：TRANSISTOR（NPN 型/PNP 型）
測試參數：ICBO（發射極開路時集電極-基極的反向電流）、ICEO（集電極-發射極漏流）、IEBO（發射極
-基極間的漏流）、BVCEO（集電極-發射極的擊穿電壓）、BVCBO（集電極-基極的擊穿電壓）、BVEBO（發
射極-基極的擊穿電壓）、hFE（放大倍數）、VCESAT（集電極-發射極間的飽和壓降）、VBESAT（基極-發
射極間的飽和壓降）、VBE(基極-發射極間的非飽和壓降)
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