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武漢賽斯特精密儀器有限公司
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紅外后對準雙面刻機

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具體成交價以合同協議為準

產品型號

品       牌其他品牌

廠商性質生產商

所  在  地武漢市

更新時間:2021-06-22 15:34:50瀏覽次數:444次

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產地類別 國產 應用領域 化工
紅外后對準雙面刻機 提供一系列的解決方案來滿足客戶的生產和開發要求。通過一系列的技術的開發,SPTS能為客戶提供一系列的*的工藝,比如功率MOSFET和200mm和300mm晶圓上的端封裝(3D封裝和芯片級封裝)。

紅外后對準雙面刻機

SPTS作為*的深硅刻蝕和犧牲層刻蝕設備的供應商,SPTS能夠提供一系列的解決方案來滿足客戶的生產和開發要求。通過一系列的技術的開發,SPTS能為客戶提供一系列的*的工藝,比如功率MOSFET和200mm和300mm晶圓上的端封裝(3D封裝和芯片級封裝)。

深硅刻蝕工藝的主要過程包括:

1) 鈍化處理過程(C4F8等離子體)

一階段:由C4F8產生CFn聚合物沉淀在所有的表面

2) 刻蝕過程(SF6等離子體)

第二階段:由于離子體的定向運動,基面上的聚合物被去除的速度要比在側壁的去除速度快。

第三階段:暴露的硅表面就會被F系物刻蝕掉,SF6*提供等離子體,來實現高深寬比的刻蝕。

紅外后對準雙面刻機

深硅刻蝕的主要應用包括: MEMS,*封裝(TSV),功率器件等等。

 

SPTS提供一系列的設備來滿足客戶研發到生產不同的要求。包括ICP-SR/SRE系列,而Pegasus則是大量生產所使用的設備。

 

Pegasus是行業先的深槽刻蝕設備,可以提供理想的刻蝕速度,但同時保證側面特征良好控制和一致性。通過利軟件“boost and delay”和利 “parameter ramping” 以及絕緣硅技術實現了高性能的工藝控制。

 

parameter ramping技術:

實時調節工藝過程參數,以達到理想的側面輪廓。

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