国产一级a毛一级a看免费视频,久久久久久国产一级AV片,免费一级做a爰片久久毛片潮,国产精品女人精品久久久天天,99久久久无码国产精品免费了

詳細摘要：WGD-6型光學多道分析器適用于各大專院校及科研機構，作為物理實驗教學及光譜分析之用。光學多道分析器采用CCD（電荷耦合器件）作為探測器，極大地拓寬了儀器的應用范圍，可以實時采集及三維顯示，是研究光譜的理想工具。

詳細摘要：WGD-3/5組合式多功能光柵光譜儀
實驗內容：
1、吸收光譜測量：可分析被測物質（氣體、液體、固體）進行吸收光譜
2、發(fā)射光譜測量：測量發(fā)射光源的光譜特性
3、熒光光譜測量
4、其他：利用氫光譜測量里德伯常量，接收元件靈敏特性的

詳細摘要：GY-17鈉鎢雙燈
說　　明 :
鎢燈6V15W，鈉燈20W，主要應用于邁克爾干涉儀中的白光干涉實驗。
 GY-18／18A亮度可調鎢燈
說　　明 :
50W，不帶風扇GY-18
75W，帶風扇GY-18A

詳細摘要：WGD-100/300小型光柵單色儀結構新穎、性能穩(wěn)定、外形精巧美觀、價格低廉、有*的性能價格比，為廣大用戶提供了又一新型的測量儀器。
儀器特點：
體積小
出入狹縫縫寬均為兩檔，分別為0.15mm、0.3mm
輸出單色光的波長，從波長鼓輪直接讀取<

詳細摘要：GY-13/13A氫氘燈
說　　明 :
此光源作為一種氣體放電光源，可用于波長標定，廣泛應用與大學物理實驗室。此燈包括電源及聚光系統(tǒng)。
氫：656.28nm，486.13nm，434.05nm，410.18nm
氘：656.11nm，486.01nm，433.93nm，410.07nm

詳細摘要：GY-10∕10A∕10C He-Ne激光器
說　　明 :
作為一種單一波長的光源，可用于幾何光學、干涉、衍射等光學實驗。波長：632.8 輸出功率：1.5mW，腔長：250mm全息照相用。

詳細摘要：WGS-8色度實驗裝置
儀器介紹：
色度學涉及物理光學、視覺生理、視覺心理等學科。許多領域都遇到顏色測量有關問題，在大學開展該學科教育勢在必行。我們研制的WGS-8型是在原WGS-9型色度實驗裝置的基礎上增加發(fā)光體色度測量。*色度學教學的空白，為實

詳細摘要：GY-9A氫燈
說　　明 :
氫燈光譜：410.2nm，434.0nm，486.1nm，656.3nm譜線可用于波長定標，廣泛用于大學物理實驗室，是氫光譜實驗的*光源。

詳細摘要：ST-21L型方塊電阻測試儀
采用大規(guī)模集成電路作為儀器的主要部分，測量準確穩(wěn)定，低功耗；
以大屏幕LCD顯示讀數，直觀清晰；
采用單個電池供電，帶電池欠壓指示；
體積≤175mm X90mm X42mm，重量≤300g；
特制之手握式探筆，球形探針

詳細摘要：RTS-3型手持式四探針測試儀
測量范圍寬、精度高、穩(wěn)定性好、結構緊湊、易操作的手持式設計；
體積僅為：185mm（長）*90mm（寬）*30mm（高）； 重量：350g；
使用鋰電池供電，一次充電可連續(xù)使用100小時；

詳細摘要：ST-21H型方塊電阻測試儀是一種依照類似的國家標準和美國A.S.T.M標準，專門測量半導體薄層電阻（表面電阻）的新型儀器，可用于測量一般半導體材料、導電薄膜（ITO透明氧化膜），金屬薄膜……等同類物質的薄層電阻。

詳細摘要：ST-21型方塊電阻測試儀以大規(guī)模集成電路為主要核心；用基準電源和運算放大器組成高精度穩(wěn)流源；帶回路有效正常指示電路；并配以大型LCD顯示讀數，使儀器具有體積小、重量輕、外形美、易操作、測量速度快、精度高的特點。

詳細摘要：RTS-2/RTS-2A型便攜式四探針測試儀是運用四探針測量原理的多用途綜合測量設備。該儀器按照單晶硅物理測試方法國家標準并參考美國 A.S.T.M 標準而設計的，專用于測量硅晶塊、晶片電阻率及擴散層、外延層、ITO導電箔膜、導電橡膠等材料方塊電阻的小型儀器。

詳細摘要：RTS-11型金屬四探針測試儀
專用于測試低阻金屬材料電阻率及方塊電阻
測量范圍：電阻率：10-7～10-2Ω.cm； 方塊電阻：10-6～10-1Ω/□；
是運用四探針測量原理的多用途綜合測量設備，該儀器按照單晶硅物理測試方法國家標準并參考美國 A.S.T.M

詳細摘要：RTS-9型雙電測四探針測試儀采用了四探針雙電測組合（亦稱雙位組合）測量新技術,將范德堡測量方法推廣應用到直線四探針上,利用電流探針、電壓探針的變換，在計算機控制下進行兩次電測量，能自動消除樣品幾何尺寸、邊界效應以及探針不等距和機械游移等因素對測

詳細摘要：RTS-4四探針測試儀儀器采用了電子技術進行設計、裝配。具有功能選擇直觀、測量取數快、精度高、測量范圍寬、穩(wěn)定性好、結構緊湊、易操作等特點。
本儀器適用于半導體材料廠、半導體器件廠、科研單位、高等院校對半導體材料的電阻性能測試。按照單晶硅物

詳細摘要：PN-12型導電類型鑒別儀采用整流法（也稱三探針法）和溫差法（也稱冷熱探筆法來判斷單晶（或多晶）硅的導電類型（N型或P型），用N型和P型顯示屏直接顯示單晶（或多晶）導電類型。
可判斷硅材料的電阻率范圍
溫差法：10-4Ω&#183;Cm～105Ω&#

詳細摘要：LT-2型單晶少子壽命測試儀
是參考美國 A.S.T.M 標準而設計的用于測量硅單晶的非平衡少數載流子壽命。半導體材料的少數載流子壽命測量，是半導體的常規(guī)測試項目之一。本儀器靈敏度較高，配備有紅外光源，可測量包括集成電路級硅單晶在內的各種類型硅單晶

詳細摘要：PN-30型導電類型鑒別儀采用整流法（也稱三探針法）和溫差法（也稱冷熱探筆法來判斷單晶（或多晶）硅的導電類型（N型或P型），用N型和P型顯示屏直接顯示單晶（或多晶）導電類型。
該儀器特別采用工控指示開關，顯示清晰、經久耐用；可隨機調零；自動加熱

詳細摘要：CV-2000型電容電壓特性測試儀
作為組成半導體器件的基本結構的PN結具有電容效應（勢壘電容）。加正向偏壓時，PN結勢壘區(qū)變窄，勢壘電容變大；加反向偏壓時，PN結勢壘區(qū)變寬，勢壘電容變小。