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搭建BJT/MOS直流特性測試實驗需要哪些儀器？認準生產廠家武漢普賽斯儀表， 半導體分立器件是組成集成電路的基礎，包含大量的雙端口或三端口器件，如二極管，晶體管，場效應管等。直流 I-V測試是表征微電子器件工藝及材料特性的基礎
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搭建BJT/MOS直流特性測試實驗需要哪些儀器？認準生產廠家武漢普賽斯儀表， 半導體分立器件是組成集成電路的基礎，包含大量的雙端口或三端口器件，如二極管，晶體管，場效應管等。直流I-V測試是表征微電子器件工藝及材料特性的基礎，通常使用I-V特性分析或I-V曲線來決定器件的基本參數。
BJT/MOS直流特性測試的主要目的是通過實驗幫助工程師提取半導體器件的基本I-V特性參數，并在整個工藝流程結束后評估器件的優劣。在半導體制程的多個階段都有應用，如金屬互連，鍍層階段，芯片封裝后的測試等。
普賽斯儀表開發的BJT/MOS直流特性測試方案，由一臺或兩臺源精密源測量單元（SMU）、夾具或探針臺、上位機軟件構成。以三端口 MOSFET 器件為例，配套以下設備：
兩臺 S 型數字源表
四根三同軸電纜
夾具或帶有三同軸接口的探針臺
三同軸T 型頭
需要測試的參數：
輸出特性曲線
轉移特性曲線
跨導 gm
擊穿電壓 BVDS
需要儀器列表：
SMU 源表
探針臺或夾具
普賽斯上位機軟件
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電氣，自動化，機械
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