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半導體霍爾效應(yīng)測試實驗需要哪些儀器呢？認準生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表，普賽斯儀表自主研發(fā)的高精度臺式數(shù)字源表、脈沖式源表、集成插卡式源表、窄脈沖電流源、高精度高壓電源等，*國產(chǎn)空白。主要應(yīng)用于半導體器件的測試工藝，為客戶提供模塊化硬件、高效驅(qū)動程序和高效算法軟件組合，幫助用戶構(gòu)建自定義解決方案。為半導體封測廠家提供相關(guān)測試儀表、測試平臺，以及相關(guān)技術(shù)服務(wù)，滿足行業(yè)對測試效率、測試精度，以及低成本的挑戰(zhàn)。
半導體材料的霍爾效應(yīng)是表征和分析半導體材料的重要手段，可根據(jù)霍爾系數(shù)的符號判斷材料的導電類型。霍爾效應(yīng)本質(zhì)上是運動的帶電粒子在磁場中受洛侖茲力作用引起的偏轉(zhuǎn)，當帶電粒子（電子或空穴）被約束在固體材料中，這種偏轉(zhuǎn)就導致在垂直于電流和磁場的方向上產(chǎn)生正負電荷的聚積，形成附加的橫向電場。
根據(jù)霍爾系數(shù)及其與溫度的關(guān)系可以計算載流子的濃度，以及載流子濃度同溫度的關(guān)系，由此可以確定材料的禁帶寬度和雜質(zhì)電離能；通過霍爾系數(shù)和電阻率的聯(lián)合測量能夠確定載流子的遷移率，用微分霍爾效應(yīng)法可測縱向載流子濃度分布；測量低溫霍爾效應(yīng)可以確定雜質(zhì)補償度。與其他測試不同的是霍爾參數(shù)測試中測試點多、 連接繁瑣，計算量大，需外加溫度和磁場環(huán)境等特點，在此前提下，手動測試是不可能完成的。
普賽斯儀表開發(fā)的霍爾效應(yīng)測試系統(tǒng)可以實現(xiàn)幾千到至幾萬點的多參數(shù)自動切換測量，系統(tǒng)由S系列國產(chǎn)源表，2700矩陣開關(guān)和S型測試軟件等組成。可在不同的磁場、溫度和電流下根據(jù)測試結(jié)果計算出電阻率、霍爾系數(shù)、載流子濃度和霍爾遷移率，并繪制曲線圖。在半導體制程的晶圓基片和離子注入等階段，或者封裝好的霍爾器件需要做霍爾效應(yīng)的測試。
需要測試的參數(shù)：
電阻率
霍爾系數(shù)
載流子濃度
霍爾遷移率特性曲線
范德堡法
需要的儀器列表：
國產(chǎn)S型源表
開關(guān)
變溫器
可變磁場
軟件
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