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[供應]E系列-MOSFET靜態參數測試系統
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  • E系列-MOSFET靜態參數測試系統
貨物所在地:
湖北武漢市
產地:
湖北武漢
更新時間:
2025-05-30 09:45:56
有效期:
2025年5月30日 -- 2026年5月30日
已獲點擊:
130
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產品簡介

功率器件IGBT測試儀器具有輸出及測量電壓高(3000V)、能輸出及測量微弱電流信號(1nA)的特點。設備工作在第一象限,輸出及測量電壓0~3000V,輸出及測量電流0~100mA。支持恒壓恒流工作模式

詳細介紹

MOSFET靜態參數測試系統認準生產廠家武漢普賽斯儀表,MOSFET靜態參數測試,一般需要多臺儀表整合為成套測試系統,單獨的一臺源表,或者采集卡,并不能滿足測試需要。不同的測試,需要不同的儀器儀表進行整合。如下為普賽斯產品,在不同測試中的使用情況,隨著普賽斯產品的不斷完善,后續會滿足IGBT更多項目的測試。

測試項目

普賽斯產品

靜態測試

E300高壓程控電源

HCPL100高電流脈沖源

P300脈沖源表

PMST夾具箱

動態測試

E300高壓程控電源

P300脈沖源表

A200高速采集卡


功率循環

A400采集卡




老化測試

E300高壓程控電源




一、E300高電壓源測單元

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E系列高電壓源測單元具有輸出及測量電壓高(3000V)、能輸出及測量微弱電流信號(1nA)的特點。設備工作在第一象限,輸出及測量電壓0~3000V,輸出及測量電流0~100mA。支持恒壓恒流工作模式,同時支持豐富的I-V掃描模式。

用于IGBT擊穿電壓測試,IGBT動態測試母線電容充電電源、IGBT老化電源,防雷二極管耐壓測試,壓敏電阻耐壓測試等場合。其恒流模式對于快速測量擊穿點具有重大意義。



二、HCPL100型高電流脈沖電源

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HCPL100型高電流脈沖電源為脈沖恒流源,具有輸出電流大(1000A)、脈沖邊沿陡(10uS)、支持兩路脈沖電壓測量(峰值采樣)、支持輸出極性切換等特點。

設備可應用于肖特基二極管、整流橋堆、IGBT器件、IGBT半橋模塊、IPM模塊等需要高電流的測試場合,使用該設備可以獨立完成“電流-導通電壓"掃描測試。



三、P系列脈沖數字源表

P系列脈沖源表是普賽斯在直流源表的基礎上新打造的一款高精度、大動態、數字觸摸源表,匯集電壓、電流輸入輸出及測量等多種功能,Z大脈沖輸出電流達10A,Z大輸出電壓達300V,支持四象限工作,因此能廣泛的應用于各種電氣特性測試中。P系列源表適用于各行各業使用者,特別適合現代半導體、納米器件和材料、有機半導體、印刷電子技術以及其他小尺寸、低功率器件特性分析。



總之,MOSFET靜態參數測試系統需要的儀器是一系列的,具體可以找生產廠家普賽斯儀表為您提供檢測方案哦!


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