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[供應]S系列-MOSFET/JFET漏電流測試用源表
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  • S系列-MOSFET/JFET漏電流測試用源表
貨物所在地:
湖北武漢市
產地:
武漢市東湖新技術開發區
更新時間:
2025-05-14 11:06:15
有效期:
2025年5月14日 -- 2025年8月14日
已獲點擊:
56
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(聯系我們,請說明是在 化工儀器網 上看到的信息,謝謝?。?/p>

產品簡介

MOSFET/JFET漏電流測試用源表找普賽斯儀表,國產S型數字源表集電壓、電流輸入輸出及測量等多種功能,最大輸出電壓達300V,最小電流分辨率10pA,支持四象限工作

詳細介紹

選擇普賽斯儀表的理由:
1、國產自主研發
      技術雄厚,多項磚利,自主可控
2、可定制化方案
      聚焦鮮進器件,提供成熟可落地定制化方案
3、對標進口
      國貨精品,品質保障,對標進口產品

數字源表特色:

數字源表指一種可作為四象限的電壓源或電流源提供精確的電壓或電流,同時可同步測量電流值或電壓值的測量儀表;當電源時可作為可編程電壓源或可編程電流源;當萬用表時可作為數字電壓表(電流源,輸出電流為0,測電壓)或數字電流表(電壓源,輸出電壓為0,測電流)或數字歐姆表(電流源,輸出電流為一定值,測電壓);當電子負載時可作為可編程恒壓負載或可編程恒流負載;當電源/測量表組合(SMU)時給電壓測量電流或給電流測量電壓;

國產S型數字源表集電壓、電流輸入輸出及測量等多種功能,最大輸出電壓達300V,最小電流分辨率10pA,支持四象限工作,因此能廣泛的應用于各種電氣特性測試中:半導體IC或元器件,功率器件,傳感器,有機材料與納米材料等特性測試和分析。

以下是數字源表的典型應用領域:
納米材料與器件
– 石墨烯
– 碳納米管
– 納米線
– 低功耗納米結構

• 半導體結構
– 晶圓
– 薄膜

• 有機材料與器件
– 電子墨水
– 印刷電子技術

• 能量效率與照明
– LED/AMOLED
– 光伏/太陽電池
– 電池

• 分立器件與無源組件
– 雙引線: 電阻器、二極管、齊納二極管、LED、傳感器

– 三引線: 小信號雙極節型晶體管(BJT)、場效應晶體管 (FET),等等

• 材料特性分析
–電阻率
–霍爾效應

典型的器件參數測試如下:

晶體管/整流器:正向電壓(Vf)、反向電壓(Vr)、反向漏電流(Ir)

MOSFET/JFET:輸出特性(Vds-Id)、轉移特性(Vgs-Id)、導通電阻(Rdson)、擊穿電壓(BVdss,BVdg)、漏電流(Idss,Igss)

雙極性晶體管/IGBT:飽和電壓(Vcesat)、輸出特性(Vce-Ic)、擊穿電壓(Vceo,Vebo,Vcbo)、漏電流(Iceo,Ices,Iebo)

三端雙向交流開關/可控硅:閉鎖電壓(Vdrm,Vrrm)、漏電流(Idrm,Irrm)、吸池(保持)電流(Ih)、閉鎖電流(Ii)

 

以上是關于MOSFET/JFET漏電流測試用源表的信息,更多有關S系列源表的信息找武漢生產廠家普賽斯儀表

 

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