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VCSEL測試系統可以實現高調制帶寬的使用
閱讀：452 發布時間：2021-6-22
VCSEL測試系統有兩種基本結構，一種是頂發射結構：采用MOCVD技術在n型GaAs襯底上生長而成，以DBR作為激光腔鏡，量子阱有源區夾在n－DBR和p－DBR之間。另一種是底發射結構，一般用于產生976－1064nm波段，通常將襯底減薄到150μm以下以減少襯底吸收損耗，再生長一層增透膜以提高激光光束質量，將增益芯片安裝在熱沉上。半導體激光器是信息化社會具有代表性的關鍵光電子器件之一，已經在許多領域得到廣泛的應用。
VCSEL測試系統結構*，具有許多優異的特性，如：
（1）體積小；
（2）閩值電流低，功耗低；
（3）調制帶競高；
（4）圓形光束，易與光纖耦合；
（5）在片測試，降低測試成本；
（6）二維陣列排列；
（7）成本低，等等。
隨著VCSEL的大口徑以及二維陣列的開發，VCSEL的輸出功率有了顯著的提高。針對高功率半導體激光器在激光泵浦、醫療、軍事以及材料加工等應用領域的需求日益增長，在消費市場的應用越來越廣泛，包括激光雷達、距離傳感、自動對焦、3D傳感、虹膜識別、空氣和水質檢測以及虛擬現實/增強現實/混合現實等等，針對高功率VCSEL的需求也越來越大。同時，由于*駕駛系統、云計算、物聯網技術與5G通信技術等應用愈發成熟，信息的快速爆炸產生了對數據帶寬大幅增長的需求。而VCSEL具有較大的弛豫振蕩頻率，可以實現高調制帶寬，因此在光互連和光數據網絡的應用中占據主導地位。
VCSEL（Vertical－cavitysurface－emittinglaser），即垂直腔面發射激光器，是集高輸出功率和高轉換效率和高質量光束等優點于一身，相比于LED和邊發射激光器EEL，在精確度、小型化、低功耗、可靠性等角度全方面占優。