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更新時(shí)間：2025-02-18 10:52:30瀏覽次數(shù)：1562評(píng)價(jià)
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| 供貨周期 | 兩周 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 能源,航空航天,電氣 |
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SiC基單層石墨烯電極是在SiC基底上生長(zhǎng) 1 個(gè) 15 x 15 mm2單層石墨烯樣品。
SiC基單層石墨烯電極是由碳（C）原子組成的晶體平面，sp2鍵在蜂窩晶格中結(jié)合，其中碳與三個(gè)平面內(nèi)鍵結(jié)合，而第四個(gè)在垂直方向上是不飽和鍵。這種晶體結(jié)構(gòu)負(fù)責(zé)石墨烯的*特性。在本產(chǎn)品中，石墨烯在Si端接SiC基板上形成。*形成的碳層稱為界面層或緩沖層，它是絕緣的，因?yàn)樗奶荚佑腥种慌cSiC基板共價(jià)結(jié)合。外延石墨烯是指在界面層之上形成的碳層，具有隔離單層石墨烯典型的線性分散。
本產(chǎn)品為極耐用電極，適合多種使用。如果涂覆了涂層，無論采用何種沉積技術(shù)，都可以通過強(qiáng)酸或堿溶液（取決于涂層性質(zhì)）去除涂層，而不會(huì)影響石墨烯層。請(qǐng)注意，如果應(yīng)用的電勢(shì)高于 +2V，SiC 上的單層石墨烯可能會(huì)以電化學(xué)方式降解。
規(guī)范
覆蓋率： 100%
厚度變化：< 10%="" of="" bi-layer="">
電導(dǎo)率類型：n型
薄板載體密度：2 x 1012 × 5 x 1012厘米-2
移動(dòng)性： 1500 - 2200 厘米2/V
基板類型：4H-SIC HPSI
基板厚度：0.5 毫米
基板長(zhǎng)度： 15 毫米
基板寬度：15 毫米
基板方向：軸上
基板電阻率范圍：± 1 x 105 °cm
基板微管密度（MPD）：標(biāo)準(zhǔn)
基板精加工：雙面拋光 Si 面 CMP
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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