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產地類別	進口	應用領域	醫療衛生,化工,石油,電子/電池,電氣

硅光電探測器的本質是一個反向偏置的半導體二極管，PIN硅二極管是在重摻雜的P區和N區之間夾有一層叫做本征體（i層）的半導體。當PN結收到光照射時，光子和半導體晶格原子相互作用，當入射光子能量E=hv超過硅材料的禁帶寬度E0，就在耗盡區中或離耗盡層邊沿一個擴散長度內產生電子--空穴對。這種電子--空穴對被外加電場拉開，電子向N區漂移，空穴向P區漂移，當載流子的移動通過耗盡層時，在外電路形成光電流。

硅光電探測器是光電器件重要的的組成部分，是可見光和近紅外波段主要的探測器。硅的探測器的工作波長在0.3-1.0微米。在室溫的條件下，該產品具有很高的靈敏度，還有一些附件支持，如濾光片（長波濾光片和帶通濾光片）、前置放大器、光纖連接器。這些器件可應用在工業的控制系統、氣體分析、熱傳感器以及光纖測試設備中。

室溫Si探測器

Detector type	Active Dia (mm)	Shunt Resistanve (MΩ)	Shunt Capacitance pF),tpy	OperatingWavelength (nm)	Spectral Responsivity (A/W)	NEP (W/) @800nm,1KHz
LD-S-010	1.0	500	25	300-1000	0.55@850nm	<1.0x
LD-UVS-010	1.0	500	50	200-1000	0.55@800nm	<1.0x
LD-S-025	2.5	500	400	300-1000	0.55@850nm	<1.0x
LD-UVS-025	2.5	200	300	200-1000	0.50@800nm	<1.5x
LD-S-050	5	200	1500	350-1100	0.55@850nm	<1.5x@850nm
LD-UVS-050	5	50	1000	200-1100	0.50@800nm	<3.0x@700nm
LD-S-100	10	10	1000	350-1100	0.50@850nm	<1.0x@850nm
LD-UVS-100	10	50	1800	200-1000	0.50@800nm	<5x@800nm
LD-S-113	11.3	200	9000	300-1100	0.55@850nm	<1.5x
LD-UVS-113	11.3	10	4000	200-1000	0.50@800nm	<1.0x

二級制冷Si探測器

type	OperatingTemperature(℃)	Shunt Resistanve (MΩ)	Shunt Capacitance (pF),tpy	NEP (W/)@800nm	Responsivity@850nm (A/W)	Cooler Current (A)
LD-S-010-TE2	22	500	25	——	0.55	0.00
LD-S-010-TE2	-30	>1000	25	——	0.55	0.65
LD-UVS-010-TE2	22	500	50	——	0.55	0.00
LD-UVS-010-TE2	-30	>1000	50	——	0.55	0.65
LD-S-025-TE2	22	100	400	<1.9x10^-14	0.55	0.00
LD-S-025-TE2	-30	>1000	400	<5x10^-15	0.55	0.65
LD-UVS-025-TE2	22	200	300	<1.5x10^-14	0.55	0.00
LD-UVS-025-TE2	-30	>1000	300	<10^-14	0.55	0.65
LD-S-050-TE2	22	>200	1000	<1.5x10^-14	0.55	0.00
LD-S-050-TE2	-30	>1000	1000	<10^-14	0.55	0.65
LD-UVS-050-TE2	22	>100	1000	<2x10^-14	0.55	0.00
LD-UVS-050-TE2	-30	>1000	1000	<10^-14	0.55	0.65
LD-S-100-TE2	22	10	1000	<1.0x10^-13	0.50	0.00
LD-S-100-TE2	-30	500	900	<1.0x10^-14	0.50	0.70
LD-UVS-100-TE2	22	50	1800	<5.0x10^-14	0.50	0.00
LD-UVS-100-TE2	-30	1000	1600	<1.0x10^-14	0.50	0.70

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美國EOS Si探測器（0.2-1.1um）返回列表頁

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