圖像轉(zhuǎn)移，也稱為光刻技術(shù)（或簡稱光刻），在PCB的電路圖形方面發(fā)揮關(guān)鍵作用。它能實現(xiàn)復雜和精確的連接，以支持在更小的區(qū)域?qū)崿F(xiàn)更多連接。隨著對更高密度的電路板和更小線寬間距的需求不斷增加，線路必須以高精度和均勻度制成。  

針對先進應用，各種先進IC載板（ICS），如條狀覆晶 - 芯片尺寸封裝（FC-CSP）和覆晶芯片球柵陣列（FC-BGA）需要高分辨率和準確度。

光刻對于先進IC載板 - 其特點是單元尺寸大，層數(shù)高和細線路 - 圖形轉(zhuǎn)移為制造商帶來了新的挑戰(zhàn)，特別是在表面高低不均的情況下成像。IC載板制造商必須制造極細的圖形，這需要出色的對位精度和覆蓋精度。

概括地說，制造商面臨著三個關(guān)鍵挑戰(zhàn)：

• 實現(xiàn)均勻細線路，避免拼接問題

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• 提高層與層的對位精度

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• 保持高產(chǎn)能和效率
  
  

線寬品質(zhì)

隨著IC載板架構(gòu)復雜度的增加，層數(shù)增多，更大的主體，x-y軸的失真和高低差的變化（z軸）給IC載板制造帶來了重大挑戰(zhàn)。更具體地說，當對先進載板成像時，拼接問題（即線寬/間距的偏移或偏差）因表面高低不平而加劇，導致良率下降。

先進的板級封裝技術(shù)需具有

出色精度的超精細、高度均勻的線條

現(xiàn)有的解決方案（如數(shù)字微鏡器件（DMD）、直接成像（DI）和Stepper）無法解決這兩種挑戰(zhàn)。高且連續(xù)的景深（DOF）和先進的補償機制是克服這兩種挑戰(zhàn)的必要條件。

此外，對于高頻應用，線寬均勻度和邊緣粗糙度帶來了額外的挑戰(zhàn)，因為保持線路均勻性是實現(xiàn)最佳傳輸和信號完整的關(guān)鍵。

層間對位，實現(xiàn)更高精度

隨著封裝功能的增加，優(yōu)化層間對位至關(guān)重要，通過較小的焊盤設(shè)計實現(xiàn)更多的IO（及連續(xù)的凸點）。通過實現(xiàn)先進的漲縮演算法和高精度的平臺可以實現(xiàn)這一目標。同時，對位優(yōu)化不影響載板尺寸。

漲縮算法可以幫助實現(xiàn)優(yōu)化的層間對齊

產(chǎn)能和效率

產(chǎn)能和效率是縮短上市時間 (TTM) 和低擁有成本 (COO) 的關(guān)鍵。增加區(qū)域或分區(qū)的數(shù)量，特別是在先進的 FC-CSP 和模塊中，會降低設(shè)備產(chǎn)能，增加制造成本。此外，對于先進的 FC-BGA，目前使用的主要影像轉(zhuǎn)移解決方案是Stepper，需要光罩，從而導致更長的上市時間和較高的成本。

KLA 對 IC 載板光刻工藝的方法

KLA 的產(chǎn)品組合包括多種直接成像解決方案，旨在應對當前和未來的光刻挑戰(zhàn)。我們的 Corus™ 直接成像平臺的市場證明了其作為一種靈活高效的成像解決方案的優(yōu)秀能力。

對于先進的 IC 載板應用，KLA 的 Serena™ 平臺剛剛推出，代表了超越Stepper的新光刻平臺類別。這種創(chuàng)新的數(shù)字解決方案專為大尺寸、高層數(shù)有機內(nèi)層的細線圖形設(shè)計，提高了精度和良率。