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用于質(zhì)地測(cè)量的平行光束 X 射線衍射技術(shù)
質(zhì)地測(cè)量用于確定多晶樣品中晶粒的取向分布。如果晶粒沿某些晶格平面以優(yōu)選方向排列，則材料被認(rèn)為是“質(zhì)地化”的。可以將材料的質(zhì)地化狀態(tài)（通常以薄膜形式）看作中間狀態(tài)，其性質(zhì)介于隨機(jī)取向的多晶粉末和*取向的單晶之間。質(zhì)地通常在材料的制造過程中引入（如薄金屬板的軋制、沉積等），其可以通過引入結(jié)構(gòu)各向異性來影響材料性能。
經(jīng)過機(jī)械或熱處理后，大多數(shù)晶體中會(huì)存在優(yōu)選的晶體取向或質(zhì)地，因此其取決于工藝。這些材料的質(zhì)地可能會(huì)嚴(yán)重影響它們的性能。因此，有必要對(duì)這些影響進(jìn)行量化，以優(yōu)化質(zhì)地化材料的開發(fā)、加工和應(yīng)用。在傳統(tǒng) XRD 掃描中，衍射峰的相對(duì)強(qiáng)度被用作晶體質(zhì)地的初步指示。比來自隨機(jī)樣品的所有其他峰更強(qiáng)的峰識(shí)別與峰的衍射平面垂直的優(yōu)選晶體取向。質(zhì)地程度用峰的半高全寬 (FWHM) 表示。
使用多毛細(xì)管準(zhǔn)直光學(xué)晶體的平行光束 X 射線衍射技術(shù)可以增強(qiáng)材料的質(zhì)地分析。由于平行光束 XRD 對(duì)樣品幾何結(jié)構(gòu)和位移誤差不敏感，因此樣品的質(zhì)地分析幾乎無需樣品制備。出于同樣的原因，該技術(shù)可用于監(jiān)測(cè)材料的在線變化。此外，通過使用多毛細(xì)管準(zhǔn)直光學(xué)晶體，平行光束 XRD 系統(tǒng)可以與低功率 X 射線源相結(jié)合，從而減小了在線質(zhì)地測(cè)量所需的儀器尺寸和功率要求。
平行光束 X 射線衍射幾何結(jié)構(gòu)使用多毛細(xì)管準(zhǔn)直光學(xué)晶體。該技術(shù)已成功地應(yīng)用于超導(dǎo)帶層質(zhì)量控制和磁性薄膜制造中的薄膜質(zhì)地測(cè)量。