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當前位置:北京亞科晨旭科技有限公司>>薄膜制備>>原子層沉積系統ALD>> PICOSUN ALD R-300PICOSUN原子層沉積系統ALD R-300高級版

PICOSUN原子層沉積系統ALD R-300高級版

參  考  價面議
具體成交價以合同協議為準

產品型號PICOSUN ALD R-300

品       牌其他品牌

廠商性質生產商

所  在  地北京市

更新時間:2024-09-25 13:47:37瀏覽次數:1646次

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產地類別 進口 價格區間 50萬-100萬
應用領域 化工,能源,電子/電池,航空航天
PICOSUN原子層沉積系統ALD R-300高級版;Picosun 300mm生產線上的產品是300mm以下晶圓的自動化、高產量的工業ALD加工設備。

PICOSUN原子層沉積系統ALD R-300高級版

(PICOSUN™ ALD P-300 Advanced)

 

名稱:原子層沉積系統   產地:芬蘭

PICOSUN原子層沉積系統ALD R-300高級版

 

Picosun簡介

Picosun是yi家公司,Picosun的總部位于芬蘭的Espoo,其生產設施位于芬蘭的MasalaKirkkonummi)。PICOSUN®ALD設備專為高產量和高產量而設計,并且不斷發展以提高效率。Picosun適應性強其客戶包括  大的電子制造商,小型的創新型挑戰者以及的大學。 Picosun的組織機構和種類繁多的ALD解決方案都可以滿足每個客戶的需求。PICOSUN®研發工具具有*的內置可擴展性,可確保將研究結果平穩過渡到大批量工業制造中,而不會出現技術差距。Picosun的熱情在于創新。當您想與設備制造商共同創建定制的ALD解決方案,從而引ling行業發展時,Picosun是您的合作伙伴。


   PICOSUN™ R系列設備提供高質量ALD薄膜的沉積技術,并在各種各樣的襯底上都表現的均勻性,包括具挑戰性的通孔的、超高深寬比和顆粒等樣品。我們為液體、氣體和固體化學物提供的更高級的,易更換的前驅源系統,能夠在晶圓、3D樣品和各種納米特性的樣品上生長顆粒度小的薄膜層。在基本的PICOSUN™ R系列配置中可以選擇多個獨立的,*分離的源入口匹配多種類型的前驅源。PICOSUN™ R系列*的擴展性使ALD工藝可以從研究環境直接過渡到生產環境的PICOSUN™ P系列ALD系統。由于研發型與生產型PICOSUN™反應腔室核心設計特點都是相同的,這消除了實驗室與制造車間之間的鴻溝。對大學來說,突破創新的技術轉化到生產中,就會吸引到企業投資。

PICOSUN原子層沉積系統ALD R-300高級版

PICOSUN®R-300高級

Picosun™ 300mm生產線上的產品是300mm以下晶圓的自動化、高產量的工業ALD加工設備。包括PICOSUN™ P系列Pro和Advanced ALD設備。該工具可以獨立工作,也可以集成到PICOPLATFORM™300真空集群系統以達到更高的產量和自動化水平。為了節約昂貴的設施空間,所有PICOSUN™的ALD系統有著緊湊、高效的設計。集成的專業機柜,裝載著前驅體和電子元件,保證了快速簡便的維護和短的停機時間。PICOSUN™ P系列工具保證了大產能以及節約成本的情況下得到的ALD工藝質量,并履行嚴格的現代半導體產業的生產力和安全要求。

工藝咨詢和開發,產能提升,維護保養流程和系統及工藝的故障排除,我們客戶化定制的PICOSUPPORT™綜合解決方案24小時快速響應,隨時待命。在購買之前,我們的演示服務保證了設備可以100%滿足客戶苛刻的產線需求。

 

技術指標

 

襯底尺寸和類型

156 mm x 156 mm硅片50~100片/批次(雙面/背對背)

高達300 mm x 300 mm玻璃基板10~20片/批次(雙面/背對背)

大批量的3D產品(例如:鐘表部件,珠寶,硬幣,醫療植入部件,機械部件等)

粉末與顆粒

Roll-to-roll, 襯底大寬 300 mm

多孔,通孔,與高深寬比(HAR)樣品

工藝溫度

50-500℃

基片傳送選件

氣動升降(手動裝載)

半自動裝載,用線性裝載器實現

全自動轉載,用工業機器人實現

前驅體

液態、固態、氣態、臭氧源

前驅源余量傳感器,并提供清洗和裝源服務

4根獨立源管線,多加載6個前驅體源

重量

400 + 300 kg

尺寸 (W x H x D)

149 cm x 191 cm x 111 cm

選件

PICOFLOW™ 擴散增強器,N2發生器,尾氣處理器,定制設計,與工廠軟件連接服務。

驗收標準

標準設備驗收標準為 Al2O3 工藝

 

 

應用領域

客戶使用PICOSUN™ R系列ALD 設備在150mm和200mm(6“和8”)晶圓上所沉積薄膜厚度均勻性數據。

 

材料

非均勻性(1σ)

AI2O3 (batch)

0.13%

SiO2 (batch)

0.77%

TiO2

0.28%

HfO2

0.47%

ZnO

0.94%

Ta2O5

1.00%

TiN

1.10%

CeO2

1.52%

Pt

3.41%

 

PICOSUN原子層沉積系統ALD R-300高級版

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