高溫氫致（HTHA）缺陷在高溫高壓氫氣環境中出現，如：熱交換器、管道和壓力容器中。這種缺陷主要發生在焊縫的熱影響區（HAZ）。自由氫會滲入到鋼合金的晶粒之間，并與碳元素結合，終產生脫碳甲烷孔隙。

高溫氫致（HTHA）損傷的顯微圖像

如果沒有足夠早地發現高溫氫致（HTHA）缺陷，孔隙的數量就會增加，且合并在一起，并終形成裂紋。為了避免設備發生潛在的故障，在這些裂紋形成之前，探測到高溫氫致缺陷至關重要。

高溫氫致（HTHA）孔隙在早期階段非常細小，以至于無法被標準的超聲探頭探測到。超聲檢測人員需要使用更高的頻率、更強的聚焦、更高的增益，以及優質信噪比（SNR），才能探測到這類缺陷。

奧林巴斯研制了一種于探測早期階段高溫氫致（HTHA）損傷的探頭。用于檢測高溫氫致缺陷的解決方案包括雙晶線性陣列（DLA）探頭和相控陣（PA）探頭，DLA探頭使用一發一收技術進行檢測，而PA探頭經過微調可以進行全聚焦方式（TFM）檢測。這些檢測方法與TOFD篩查結合起來，形成了一套完整的多技術檢測策略。

使用雙晶陣列探頭探測和定義更小的高溫氫致（HTHA）孔隙

奧林巴斯的雙晶線性陣列（DLA）探頭具有高頻性能，可以提供更高的分辨率，從而有助于提高微小缺陷的檢出率，如：高溫氫致（HTHA）缺陷。雙晶線性陣列（DLA）探頭使用一發一收技術。這種探頭的兩個晶片陣列分開放置，并具有聲學隔離特性，一個晶片陣列用于發射聲束，另一個用于接收信號。這種配置可以使用更高的增益，而且不會出現脈沖回波技術通常會遇到的干擾回波。雙晶陣列中裝配有大量的小晶片，有助于確保在關注區域內獲得優異的聚焦性能和很高的靈敏度。

   用于角度聲束檢測的A28 DLA探頭

A28探頭的多個小晶片（各含32個晶片的兩個陣列）有助于提高聲束的偏轉能力，從而可使聲束覆蓋到焊縫體積的更大區域和熱影響區（HAZ）。探頭上有一個已獲ZL的樞軸鉸鏈裝置，可使發射晶片和接收晶片盡可能互相靠近，以擴大聲束以電子方式聚焦的范圍。樞軸裝置還可使兩個晶片陣列更緊密地貼附在楔塊的屋頂角上。

覆蓋更多的焊縫區域和熱影響區（HAZ）— 角度聲束DLA探頭（A28）

   可以進行快速零度檢測的REX1 DLA探頭

這些含有64個晶片的雙晶探頭在與一個編碼器或掃查器配套使用時，可以0角度覆蓋30毫米寬的區域，完成快速掃查，并獲得清晰的C掃描圖像。雙晶相控陣技術可以在不同的深度上聚焦，獲得更高的檢測和定義能力。用戶可以直接在OmniScan X3探傷儀上選擇用于聚焦聲束的晶片數量，進一步提高關注區域中的信號響應能力。探頭的創新型防磨穩定裝置可以緊密地貼合在外徑小至101.6毫米的管道表面上。

快速高溫氫致（HTHA）缺陷掃查 — 零度DLA探頭（REX1）

提供全聚焦方式（TFM）的OmniScan X3相控陣探傷儀

雖然與傳統的相控陣超聲檢測技術（PAUT）相比，全聚焦方式（TFM）成像功能可以提供更大的聚焦區域，但是TFM的聚焦性能仍然會受到探頭晶片數量、頻率、帶寬和有效孔徑大小的影響。使用數量更多、體積更小的晶片，可以更進一步提高聚焦效果，從而可優化來自高溫氫致（HTHA）缺陷的響應。此外，為了提高探測較小缺陷的能力，我們需要更短的波長，因此要使用更高的頻率。

由于盡早探測到高溫氫致（HTHA）缺陷至關重要，因此通常會使用多種方法進行檢測，以增加探測到高溫氫致缺陷的幾率。實踐證明衍射時差（TOFD）、全矩陣捕獲（FMC）和雙晶線性陣列（DLA）采集方法可以特別有效地完成這項檢測應用。OmniScan X3探傷儀不僅*支持這些方法，而且其創新型全聚焦方式（TFM）成像功能及一些軟件工具還可以簡化設置和分析過程。

OmniScan X3探傷儀的屏幕上顯示通過全聚焦方式（TFM）檢測獲得的高溫氫致（HTHA）缺陷指示

OmniScan X3探傷儀集成有DLA探頭配置，可提供實時TFM包絡、高分辨率TFM圖像（高1024 × 1024點）和64晶片全聚焦方式（TFM）擴展孔徑，是一款可與這些優化的探頭組合在一起，創建一套完整的高溫氫致（HTHA）缺陷檢測解決方案的理想儀器。

盡早探測到高溫氫致（HTHA）損傷有助于避免石油、天然氣和石化設施的關鍵性高壓資產出現災難性的故障。對資產狀況進行評估至關重要，不過要探測并評估高溫氫致（HTHA）缺陷，包括以超聲（UT）方式進行的檢測，非常具有挑戰性。奧林巴斯推出的高溫氫致（HTHA）缺陷檢測解決方案，可以有效應對這些挑戰。