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芯片制造檢測設備是MRD 高分辨X射線衍射儀其可靠性的增強及性能的改進提高了分析能力，提供一體化解決方案來滿足不同需求和應用：
• 半導體和單晶晶圓：倒易空間探索、搖擺曲線分析
• 多晶固體和薄膜：織構分析、反射測量
• 超薄薄膜、納米材料和非晶層：掠入射物相鑒定、面內衍射
• 非常溫條件下的測量：隨溫度和時間變化的峰高
芯片制造檢測設備特點：
X'Pert3MRD 經過專門設計，符合現代材料研發實驗室的要求。X'Pert3MRD 的開發重點考慮了薄膜應用的需要，因此提供了多種樣品架，可容納直徑達 200 mm 的晶圓，亦能用于晶圓表面的多點掃描。其大型樣品臺可以裝載多個樣品。

X'Pert3 MRD 將新技術融入到了測角儀軸承設計和位置編碼中，從而提高了整體性能。在測角儀軸承上應用的創新成果改進了黏滑行為，即使是在高負載條件下，也能夠極其流暢地作旋轉移動。在 omega 和 2theta 軸上使用了一*的 Heidenhain 光學編碼器，因而改進了短距離和長距離準確性，并且同時提高了位置報告和測角儀定位的速度。

X'Pert3 MRD 的歐拉環樣品臺可實現高精度、可重復且無障礙的移動，方便進行樣品旋轉、傾斜以及 x 軸、y 軸和 z 軸平移，確保為要求嚴格的 XRD 應用實現用途廣泛且準確的樣品定位。
（預校準且可快速更換的 X 射線模塊）概念使 MRD 能夠在無需重新校準的情況下進行更換配置。當實驗要求發生改變時，可以輕松添加新的 PreFIX 組件，這使得整套方案變得靈活、快速且能滿足未來的需要。可提供選擇豐富的 PreFIX 模塊，包括：
X 射線平行光反射鏡
復晶單色器
高分辨率四晶單色器
多毛細管透鏡
程控和固定的發散及防散射狹縫
交叉狹縫和單毛細管光學器件
探測器產品組合在不斷發展。PIXcel3D 探測器具有在半導體和薄膜應用中的特殊優勢，該探測器具備完整的多功能性，允許實現高動態范圍的測量，而無需進行光束衰減。PIXcel 探測器可用于各類應用需求，可以輕松地將它從 0D 接收狹縫模式切換為 1D 和 2D 靜態及掃描模式。
應用
半導體和單晶晶圓 
無論是用于生長研究還是設備設計，使用高分辨率 XRD 對結構層質量、厚度、應力和合金組分進行測量的過程已成為電子和光電子多層半導體設備的研發核心所在。
借助多種可供選擇的 X 射線反射鏡、單色器和探測器，X'Pert3 MRD 和 X'Pert3 MRD XL 提供了高分辨率配置以適應不同的材料系統。從晶格匹配半導體，到弛豫緩沖層，再到非標準基片上的新型外來層。

多晶固體和薄膜
多晶薄膜和涂層是許多薄膜和多層膜設備的重要組成部分。沉積過程中多晶層形態的演變是功能材料研發的一個關鍵研究領域。
X'Pert3 MRD 和 X'Pert3 MRD XL 可全面配備狹縫系統、平行光 X 射線反射鏡、多毛細管透鏡、交叉狹縫和單毛細管等一系列入射光路部件，以滿足反射測量、應力、織構和物相鑒定測試的需要。

超薄薄膜、納米材料和非晶層
功能設備可能包含無序、非晶或納米復合材料薄膜。X'Pert3 MRD 和 X'Pert3 MRD XL 系統的靈活性允許結合使用多種分析方法。
可提供一系列高分辨率光學器件、狹縫和平行板準直器，確保為掠入射、面內衍射和反射測量實現更高的性能。

非常溫條件下的測量
研究材料在各種條件下的變化是材料研究和過程開發中很重要的組成部分。

X'Pert3 MRD 和 X'Pert3 MRD XL 經過專門的設計，可輕松整合 Anton Paar 提供的 DHS1100 變溫樣品臺，從而能夠在一系列溫度范圍和惰性氣體環境下自動進行測量。