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一、概述

現(xiàn)代電力電子技術(shù)實(shí)訓(xùn)裝置依據(jù)西安交通大學(xué)王兆安編著的《電力電子技術(shù)》（第四版）、《半導(dǎo)體變流技術(shù)》教材實(shí)驗(yàn)大綱的要求，吸收國內(nèi)、外同類產(chǎn)品的優(yōu)點(diǎn)，充分考慮了實(shí)驗(yàn)室的現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢，對原電力電子技術(shù)及電機(jī)控制實(shí)驗(yàn)裝置"在外形、功能上進(jìn)行優(yōu)化組合，精心研制而成。

該實(shí)驗(yàn)裝置涵蓋了各高等院校等所開設(shè)的電力電子技術(shù)、半導(dǎo)體變流技術(shù)等專業(yè)課程所要求的實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目。

二、現(xiàn)代電力電子技術(shù)實(shí)訓(xùn)裝置技術(shù)性能：

1、輸入電源:三相四線(或三相五線380V±10％50HZ)

2、工作環(huán)境:溫度-10℃－+40℃　相對濕度＜85％（25℃）　海撥＜4000m

3、裝置容量：＜1000W

4、外形尺寸：155×79.5×147cm

5、移動(dòng)腳輪：100*60mm

三、實(shí)訓(xùn)裝置能開設(shè)的實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目（全配）

（一）晶閘管觸發(fā)電路實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目

1、單結(jié)晶體管觸發(fā)電路

2、正弦波同步移相觸發(fā)電路實(shí)驗(yàn)

3、鋸齒波同步移相觸發(fā)電路實(shí)驗(yàn)

4、單相集成鋸齒波觸發(fā)電路實(shí)驗(yàn)（由Tca785組成）

5、三相集成鋸齒波觸發(fā)電路實(shí)驗(yàn)（由KC04等組成）

6、三相集成鋸齒波觸發(fā)電路實(shí)驗(yàn)（由TC787組成）

（二）晶閘管線路實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目

1、單相半波可控整流電路實(shí)驗(yàn)

2、單相橋式半控整流電路實(shí)驗(yàn)

3、單相橋式全控整流及有源逆變電路實(shí)驗(yàn)

4、三相半波可控整流電路實(shí)驗(yàn)

5、三相橋式半控整流電路實(shí)驗(yàn)

6、三相半波有源逆變電路實(shí)驗(yàn)

7、三相橋式全控整流及有源逆變電路實(shí)驗(yàn)

8、單相并聯(lián)逆變電路實(shí)驗(yàn)

9、單相交流調(diào)壓電路實(shí)驗(yàn)

10、單相交流調(diào)功電路實(shí)驗(yàn)

11、三相交流調(diào)壓電路實(shí)驗(yàn)

（三）新器件特性及驅(qū)動(dòng)保護(hù)實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目

1、單向晶閘管（SCR）特性實(shí)驗(yàn)

2、可關(guān)斷晶閘管（GTO）特性實(shí)驗(yàn)

3、功率場效應(yīng)管（MOSFET）特性實(shí)驗(yàn)

4、功率晶體管（GTR）特性實(shí)驗(yàn)

5、絕緣雙極性晶體管（IGBT）特性實(shí)驗(yàn)

6、可關(guān)斷晶閘管（GTO）驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路實(shí)驗(yàn)

7、功率場效應(yīng)管（MOSFET）驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路實(shí)驗(yàn)

8、功率晶體管（GTR）驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路實(shí)驗(yàn)

9、絕緣雙極性晶體管（IGBT）驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路實(shí)驗(yàn)

（四）典型新器件線路實(shí)驗(yàn)

1、單相正弦波脈寬調(diào)制（SPWM）逆變電路實(shí)驗(yàn)

2、全橋DC/DC變換電路實(shí)驗(yàn)

3、半橋型開關(guān)穩(wěn)壓電源的性能研究

4、單端反激式隔離開關(guān)電源實(shí)驗(yàn)

5、單端電流反饋他激式隔離開關(guān)電源實(shí)驗(yàn)

6、直流斬波電路的性能研究（降壓斬波電路、升壓斬波電路、升降壓斬波的電路、Cuｋ斬波電路、Sepic斬波電路、Zeta斬波電路）

7、升、降壓與復(fù)合斬波電路實(shí)驗(yàn)

8、單相斬控式交流調(diào)壓電路實(shí)驗(yàn)

9、整流電路有源功率因數(shù)校正實(shí)驗(yàn)

10、軟開關(guān)技術(shù)實(shí)驗(yàn)