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PECVD等離子體增強化學氣相沉積是一種利用等離子體來促進氣體反應的CVD技術。其特點包括：
1、低溫沉積：PECVD可以在較低的基材溫度下進行，因為等離子體提供的能量能夠促進氣體反應，降低沉積溫度的需求。
2、高沉積速率：等離子體增強了氣體反應速率，從而提高了薄膜沉積速率。
3、良好的膜質量：PECVD沉積的薄膜通常具有較好的均勻性和較低的缺陷密度，適用于需要高質量薄膜的應用。
4、適應性強：可以沉積多種材料，包括氧化物、氮化物和氟化物等，廣泛應用于半導體、光電器件和保護涂層等領域。
5、控制性好：通過調整等離子體的參數（如功率、氣體流量和壓力），可以精確控制薄膜的成分和性質。
加熱爐參數
?最高溫度：1200ºC（<30min），連續工作溫度：1100℃；
?兩個PID溫度控制器及30段可編程溫控系統；
?輸入功率：208-240V，單相，最大功率：2.5KW；
?高純氧化鋁纖維保溫層可以最大限度降低能耗；
?回轉爐旋轉速度：2-10rpm；
?爐體開啟式設計，以達到對樣品快速降溫，方便更換爐管。
