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北京華測(cè)試驗(yàn)儀器有限公司>>商機(jī)中心>>供應(yīng)列表>>高溫真空四探針電阻率測(cè)試儀
[供應(yīng)]高溫真空四探針電阻率測(cè)試儀
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  • 高溫真空四探針電阻率測(cè)試儀
貨物所在地:
北京北京市
更新時(shí)間:
2025-06-04 18:05:57
有效期:
2025年6月4日 -- 2025年9月21日
已獲點(diǎn)擊:
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高溫真空四探針電阻率測(cè)試儀用于碳系導(dǎo)電材料、 金屬系導(dǎo)電材料、 金屬氧化物系導(dǎo)電材料、結(jié) 構(gòu)型高分子導(dǎo)電材料、復(fù)合導(dǎo)電材料等材料的電阻率測(cè)量。 過測(cè)控軟件可以顯示出溫度與電阻,電阻率,電導(dǎo)率數(shù)據(jù)的變化曲 線。

詳細(xì)介紹

 高溫真空四探針電阻率測(cè)試儀

一、高溫真空四探針電阻率測(cè)試儀概述:

●Huace-600高溫四探針測(cè)量系統(tǒng),該系統(tǒng)可以測(cè)量硅、鍺單晶(棒料、晶片)電阻率、測(cè)定硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測(cè)量導(dǎo)電玻璃(ITO)和其它導(dǎo)電薄膜的方塊電阻,該設(shè)備按照單晶硅物理測(cè)試方法標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的。

●采用由四端測(cè)量方法測(cè)試電阻率系統(tǒng)與高溫試驗(yàn)箱為一體的的高溫測(cè)試系統(tǒng),滿足半導(dǎo)體及導(dǎo)體材料因溫度變化對(duì)電阻值變化的測(cè)量要求,通以在高溫 、真空、氣氛的條件下測(cè)量導(dǎo)電材料電阻和電阻率,可以分析被測(cè)樣的電阻和電阻率隨溫度、 時(shí)間變化的曲 線. 目前主要針對(duì)圓片、方塊、長條等樣品進(jìn)行測(cè)試,可以廣泛用于碳系導(dǎo)電材料、金屬系導(dǎo)電材料、 金屬氧化物系導(dǎo)電材料、結(jié) 構(gòu)型高分子導(dǎo)電材料、復(fù)合導(dǎo)電材料等材料的電阻率測(cè)量。 過測(cè)控軟件可以顯示出溫度與電阻,電阻率,電導(dǎo)率數(shù)據(jù)的變化曲線。

二、特點(diǎn):

1、可以測(cè)量高溫、真空、氣氛下薄膜方塊電阻和薄層電阻率;

2、軟件、觸摸屏、高溫爐等集成于一體,可以進(jìn)行可視化操作;

3、可實(shí)現(xiàn)純凈氣氛條件下的測(cè)量;同時(shí)保證探針在高溫下不氧化;

4、采用labview軟件開發(fā),操控性、兼容性好、方便升級(jí);

5、可自動(dòng)調(diào)節(jié)樣品測(cè)試電壓,探針和薄膜接觸閃絡(luò)現(xiàn)象;

6、控溫和測(cè)溫采用同一個(gè)傳感器,保證樣品每次采集的溫度都是樣品實(shí)際溫度;

7、可配套使用Keithley2400或2600數(shù)字多用表;

三、優(yōu)勢(shì):

● 多級(jí)循環(huán)溫度采集技術(shù): 設(shè)備采用PID算法,以及多級(jí)循環(huán)溫度采集以保證溫度的有效值。控溫和測(cè)溫采用同一個(gè)傳感器,保證樣品每次采集的溫度都是樣品實(shí)際溫度.

● 雙系統(tǒng)互鎖技術(shù)及隔離屏蔽技術(shù): 本設(shè)備不僅具備過壓、過流保護(hù)系統(tǒng),雙系統(tǒng)互鎖機(jī)制,當(dāng)任何元器件出現(xiàn)問題或單系統(tǒng)出現(xiàn)故障時(shí),將瞬間切斷 電源。采用低通濾波電流檢測(cè)技術(shù)以保證采集電流的有效值,以及電流抗干擾的屏蔽。

● 電子升壓技術(shù) 設(shè)備采用電子升壓技術(shù),這一技術(shù)具有升壓速度平穩(wěn),精度高。

四、配置:

●測(cè)量溫度:室溫---600°C ;

●控溫精度:±1℃ ,

●顯示精度:±0.1℃;

●升溫斜率:1-5°C/min;

●測(cè)量精度:0.05%;

●電阻率:10-5 ~105 Ω.cm ;

●電導(dǎo)率:10-5 ~105 s/cm

●方塊電阻:10-4 ~106 Ω/□;

●電阻:10-5 ~105 Ω;

●探針間距:2±0.01mm;

●探針壓力:0~2kg可調(diào);

●針間絕緣電阻:≥1000MΩ;

●真空腔體漏率標(biāo)準(zhǔn)要小于10-9 Pa?m3/s ;

●樣品:直徑15~30mm,厚度小于4mm;

●設(shè)備尺寸:680mmX450mmX400mm




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