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更新時間：2018-04-14 16:13:09瀏覽次數：455
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其中：SB120線圈平臺及TE120/1樣品平臺可分別對磁電阻薄膜的磁電阻及導體/半導體電阻率進行測試及研究。
該實驗平臺由帶360o刻度的底盤，安裝在底盤內可旋轉360o的襯盤，安裝在底盤上的樣品平臺（高低可調）以及安裝在樣品平臺上的四探針等組成SB100/1樣品平臺。
SB120線圈平臺主要增加了二個相同類型的亥姆霍茲磁場線圈，分別安置在樣品平臺的兩側，且固定在可旋轉360o的襯盤兩邊上，樣品平臺位于磁場的中心，在其通電0-60V/5A的情況下，可確保產生磁場0-150奧斯特。
該實驗平臺為被測樣品在磁場及非磁場情況下，對其的測試研究提供了方便。
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