您好, 歡迎來到化工儀器網
產品簡介
詳細介紹
我公司研制的滑軌式PECVD系統能使整個實驗腔體都處于輝光產生區，輝光均勻等效，這種技術很好的解決了傳統等離子工作不穩定狀態，這樣離子化的范圍和強度是傳統PECVD的百倍，并解決了物料不均勻堆積現象。
與傳統CVD系統比較，生長溫度更低。
使用滑軌爐實現快速升溫和降溫。
設備*的技術使得整管輝光均勻等效，均勻生長。
主要特點：
1.薄膜沉積速率高：射頻輝光技術，大大的提高了薄膜的沉積速率，沉積速率可達10?/S；
2. 大面積均勻性高：采用了*的多點射頻饋入技術，特殊氣路分布和加熱技術等，使得薄膜均勻性指標達到8%；
3. 一致性高：用半導體行業的*設計理念，使得一次沉積的各基片之間偏差低于2%；
4. 工藝穩定性高：高度穩定的設備保證了工藝的連續和穩定；
技術參數：
1、單溫區加熱系統：
最高溫度 | 1200 |
使用溫度 | 1100 |
爐膛有效尺寸 | Φ60*1650mm |
爐膛材料 | 氧化鋁、高溫纖維制品 |
熱電偶類型 | K |
控溫精度 | 1 |
控溫方式 | 30段可編程控溫，PID參數自整定， ?操作界面為10"工控電腦，內置PLC控制程序， ?可將溫控系統、滑軌爐滑動（時間和距離）設定為程序控制。 |
加熱長度 | 440mm |
恒溫長度 | 200mm |
加熱原件 | 電阻絲 |
供電電源 | 220V |
額定功率 | 3KW |
2、PE射頻電源：
該CVD系統可配備PE射頻電源，將CVD系統升級為PECVD。當參與反應的氣氛進入爐管在射頻電源的作用下產生離子體，可使反應更加充分。同時等離子體起增強的作用，從而很大程度上優化實驗的工藝條件。
信號頻率 | 13.56 MHz±0.005% |
功率輸出范圍 | 500W |
射頻輸出接口 | 50 Ω, N-type, female |
功率穩定度 | ±0.1% |
諧波分量 | ≤-50dbc |
供電電壓 | 單相交流（187V-253V） 頻率50/60HZ |
整機效率 | >=70% |
功率因素 | >=90% |
冷卻方式 | 強制風冷 |
3、五路質子流量控制系統：
供氣系統是一種可控制4種氣體按不同流量進行混合配比，也可根據實驗需求加裝洗氣裝置，質量流量計安裝于密封的可移動機柜內，由超潔雙拋不銹鋼管與精密雙卡套接頭連接組成，觸摸屏控制。
連接頭類型 | 雙卡套不銹鋼接頭 |
標準量程 | 氬氣：1000sccm 氫氣：300sccm 甲烷：100sccm 氮氣：500sccm 氧氣：100sccm |
準確度 | ±1.5% |
線性 | ±0.5～1.5% |
重復精度 | ±0.2% |
響應時間 | 氣特性：1～4 Sec，電特性：10 Sec |
工作壓差范圍 | 0.1～0.5 MPa |
最大壓力 | 3MPa |
接口 | Φ6或者1/4''可選 |
顯示 | 4位數字顯示 |
工作環境溫度 | 5~45高純氣體 |
壓力真空表 | －0.1～0.15 MPa, 0.01 MPa/格 |
4、真空機組：
真空機組，內部安裝雙極旋片機械泵1臺，電容真空計1套，并含有配套使用的波紋管，手動擋板閥，卡箍等連接部件。設備冷態極限真空可達0.5Pa。
工作電電壓 | 220V |
功率 | 1 |
抽氣速率 | 16m3/h |
極限真空 | 0.5Pa |
進氣口口徑 | KF25 |
排氣口口徑 | KF25 |
連接方式 | 采用波紋管，手動擋板閥與波紋管相連 |
電容真空計 | ZDM-I( 5-5000pa 不需因測量氣體種類不同而需要系數轉換。具有較高的精確度和重復性，響應時間較短。 |
5、壓力控制系統：
壓力控制系統主要部件蝶閥、壓力控制器、電容真空計組成。
壓力控制系統的作用：根據實驗要求，在出氣端和泵之間增加蝶閥（調節閥）和真空計，真空計可檢測管內壓力，通過 PLC 調節蝶閥（調節閥）開啟的大小，以達到控制管內壓力不變。
壓力可范圍：100~100000Pa
控制精度：測量值±5%