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首頁>>中美合資合肥科晶材料技術有限公司>>產品展示>>晶體產品>>Ⅲ-Ⅴ族晶體基片

  • 氮化鎵(GaN)晶體基片 參考價:面議

    GaN易與AlN、InN等構成混晶,能制成各種異質結構,已經得到了低溫下遷移率達到105cm2/Vs的2-DEG(因為2-DEG面密度較高,有效地屏蔽了光學聲子...
    型號: GaN 廠商性質:生產商所在地:合肥市 對比
    MTI科晶集團合肥科晶江曉平
    2025/2/11 9:53:003115
  • 進口鎵酸鋰(LiGaO2)晶體基片 參考價:面議

    進口鎵酸鋰(LiGaO2)晶體基片
    型號: (MgAl2O4) 廠商性質:生產商所在地:合肥市 對比
    MTI科晶集團合肥科晶江曉平
    2025/2/11 9:51:252678
  • 鋁酸鋰(LiAlO2)晶體基片 參考價:面議

    鋁酸鋰(LiAlO2)晶體基片
    型號: (MgAl2O4) 廠商性質:生產商所在地:合肥市 對比
    MTI科晶集團合肥科晶江曉平
    2025/2/11 9:49:072571
  • 鋁酸鎂(MgAl2O4)晶體基片 參考價:面議

    鋁酸鎂(尖晶石)單晶廣泛應用于聲波和微波器件及快速IC外延基片。同時研究發(fā)現(xiàn)它是好的III-V族氮化物器件的襯底。MgAl2O4晶體由于很難維持它的單晶結構而難...
    型號: (MgAl2O4) 廠商性質:生產商所在地:合肥市 對比
    MTI科晶集團合肥科晶江曉平
    2025/2/11 9:47:144444
  • AL2O3晶棒 參考價:面議

    AL2O3晶棒
    型號: 廠商性質:生產商所在地:合肥市 對比
    MTI科晶集團合肥科晶江曉平
    2025/2/11 8:26:362313

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