MIRA3 高束流下優異的分辨率非常有利于 EDS、WDS 及 EBSD 成分分析。借助優化的電子束減速技術 ( BDT ) 使得低著陸電壓下的成像能力進一步增強。MIRA3 有 LM、XM 和 GM三種優化幾何設計的樣品室尺寸可供選擇，同時可選擇高/低真空操作環境。 
 

突出特點

• 配置高亮度肖特基電子槍，實現高分辨率，大束流及低噪聲成像；
• *的中間透鏡（IML）技術和 Wide Field Optics™光路相配合，可提供多種工作和顯示模式，如大視野模式和景深模式；
• 實時電子束追蹤技術(In-Flight Beam Tracing™)可實現性能及電子束的實時優化，同時可直接控制電子束及束流的連續調節。電子束減速技術 ( BDT ) 在低電壓下具有優異分辨率；
• 通過強大的 In-Beam 探測器可實現短工作距離下的優異成像（選配）；
• 所有的 MIRA3 倉室均配備優異的 5 軸全自動優中心樣品臺 (compucentric stage)同時擁有 EDS 和 EBSD 分析所需的理想幾何結構設計；

• 可選配帶有強大樣品臺的超大樣品室（XM、GM），可檢測大樣品 (如6", 8", 12")晶圓；
• 優化幾何設計的眾多接口，可用于接入 EDS、WDS、EBSD 以及其他探測器；
• 可變真空模式適用于非導電樣品研究；
• 多樣可選擇的減震方式可有效降低實驗室環境振動的影響；
• 無畸變 EBSD 花樣。

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