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SPS放電等離子燒結 機理簡介2021/1/25

放電等離子體燒結（SPS）是一種快速燒結方法,在低的大氣壓下利用軸向力和脈沖電流對粉末進行高速加熱固化的燒結技術。這種加熱方式能夠施加非常高的加熱溫度，能夠大幅提升致密度（見下圖），將納米粉末的固有性...

多層金屬復合材料的制備工藝2020/12/28

根據多層復合材料在制備過程中組員材料的不同物理狀態，可以將多層復合材料的制備方法大體分為三類：固相-固相復合、液相-固相復合、液相-液相復合。固相-固相復合的方法主要有爆炸焊接法，軋制法、擴散法，以及...

多層金屬復合材料研究現狀2020/12/22

隨著科學技術的發展和進步，對材料的性能要求也越來越高，傳統材料由于結構單一，綜合性能不夠突出，難以滿足對多性能耦合要求的服役環境。但是由多種不同性能的材料通過物理或者化學方法結合制備而成的復合材料，既...

金屬基復合材料的制備2020/12/15

近些年來，科技的不斷發展和進步，使得傳統材料已無法滿足多種產業對其比強度、比剛度等性能的要求。高性能材料的研發是現今新科技發展的重要方向，而復合材料的出現在較大程度上解決了材料所面臨的問題，促進了材料...

金屬基復合材料2020/11/30

金屬基復合材料（MetalMatrixcomposites,MMCs）主要是指以金屬、合金為基體材料，以纖維、晶須、顆粒等高強度材料作為增強體，制備而成的一種復合材料。MMCs的常用的制備方法有：粉末...

碳化硅半導體封裝核心技術分析——銀燒結技術2020/11/23

隨著電子產業的發展，電子產品正在向著質量輕、厚度薄、體積小、功耗低、功能復雜、可靠性高這一方向發展。這就要求功率模塊在瞬態和穩態情況下都要有良好的導熱導電性能以及可靠性。功率模塊的體積縮小會引起模塊和...

碳化硅晶體的高溫退火處理2020/11/16

碳化硅SiC晶體生長較常見，較成熟的方法仍然是物理氣相輸運法（PVT），該方法是一種氣相生長方法，生長溫度高，對原材料以及工藝參數等都有很高的要求。近年來，國內外對PVT工藝的開發投入了大量的時間和精...

第三代半導體材料之碳化硅2020/11/10

碳化硅SiC是一種由硅﹙Si﹚與碳﹙C﹚以共價鍵為主結合而成的化合物，其基本單元為Si-C四面體，其中Si原子位于中心，周圍為C原子。SiC所有的結構均由Si-C四面體以不同的堆積方式構成。目前已發現...

ITO靶材常壓燒結工藝進展2020/11/9

20世紀90年代初興起了一種新的靶材燒結方法-常壓燒結法，它是指在一定氣氛和溫度條件下對ITO靶材的素坯進行燒結，通過對燒結過程中各因素的控制，來有效控制ITO素坯晶粒的生長，從而達到靶材的晶粒分布均...

ITO靶材燒結工藝2020/10/26

ITO(氧化銦錫)是制備ITO導電玻璃的重要原料。ITO靶材經濺射后可在玻璃上形成透明ITO導電薄膜，其性能是決定導電玻璃產品質量、生產效率、成品率的關鍵因素。ITO靶材性能的重要指標是成分、相結構和...

ITO靶材應用及發展前景2020/10/21

氧化銦錫(ITO)晶體結構氧化銦錫(ITO)是通過用錫摻雜In2O3而形成的n型半導體，晶體結構是In2O3結構，其中In2O3結構具有兩種形態，一種是立方鐵錳礦結構，另一種是六方剛玉結構。立方鐵錳礦...

AZO靶材 熱壓制備工藝2020/10/12

透明導電氧化物（TransparentConductiveOxide，TCO）是一種在可見光光譜范圍（380nm＜λ＜780nm）透過率很高且電阻率較低的薄膜材料，由于其良好的光電性能在節能玻璃、熱窗...

碳化硼復合靶板制備及抗彈測試2020/9/30

近30年來，復合裝甲中一般采用金屬與非金屬組成的多層結構，由外層裝甲鋼和背板裝甲組成集體，非金屬材料（陶瓷、增強纖維）充填其中。常見的陶瓷材料有氧化鋁、碳化硅、氧化鋯、碳化硼等，增強纖維有玻璃纖維、碳...

熱壓碳化硼防彈陶瓷制備工藝及解決方案2020/9/21

碳化硼是一種新型非氧化陶瓷材料，因其具有熔點高、硬度高、密度低、熱穩定性好，抗化學侵蝕能力強和中子吸收能力強等特點而被廣泛應用于能源、軍事、核能以及防彈領域。碳化硼又稱黑鉆石，是僅次于金剛石和立方氮化...

B4C防彈陶瓷插板應用解決方案2020/9/14

陶瓷材料擁有許多吸引力的性能，包括高比剛度、高比強度和在許多環境下的化學惰性。同時，因其相對于金屬的低密度、高硬度和高抗壓強度，使其在裝甲系統上的應用十分具有吸引力，己成為一種廣泛應用于防彈衣、車輛和...