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當前位置：> 供求商機> ELS-F125/F100/HS50-電子束曝光系統
電子束曝光系統ELS-F125具有以下優點：
l 超高書寫精度
- 5 nm 線寬精度 @125 kV
- 1.7 nm 電子束直徑&鄰近效應小化 @125 kV
l 大通量、均勻性好
- 寬視野書寫:500um視場下10 nm線寬
- 高束流下電子束直徑依然很小，大通量而不影響分辨率，2 nm電子束直徑@1 nA
l 界面用戶友好
基于Windows系統的CAD和SEM界面:
-簡單易用的圖案設計功能
-易于控制的電子束條件
二、電子束曝光系統主要功能：
l 主要應用
納米器件的微結構
集成光學器件，如光柵，光子晶體等
NEMS結構，復雜精細結構
光刻掩模板，壓印模板
l 技術能力
三、應用：
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