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高溫高壓光學(xué)浮區(qū)爐日本CSC司推出的高溫高壓光學(xué)浮區(qū)法單晶爐能夠
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勞厄勞埃法晶體定向儀勞厄單晶定向儀是為晶體定向和表征單晶設(shè)計(jì)的
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Kronos垂直梯度凝固法系統(tǒng),用以解決基本工藝問題。該系統(tǒng)的高工作
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SiCma系統(tǒng)專為通過物理氣相傳輸系統(tǒng)(PVT)的方式生產(chǎn)碳化硅晶體而
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SR110區(qū)熔法硅芯爐的工作方式與區(qū)熔系統(tǒng)類似。該系統(tǒng)使用一個(gè)在高
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FZ-30和FZ-35區(qū)熔晶體生長(zhǎng)系統(tǒng)專為工業(yè)生產(chǎn)直徑達(dá)200毫米(8英寸)
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FZ-14M(G)區(qū)熔晶體生長(zhǎng)系統(tǒng)為制備單晶硅晶體樣品而設(shè)計(jì)開發(fā),該系
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FZ-14區(qū)熔晶體生長(zhǎng)系統(tǒng)是專為工業(yè)生產(chǎn)直徑達(dá)100毫米(4英寸)的單

