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化工儀器網>產品展廳>半導體行業專用儀器>薄膜生長設備>原子層沉積設備>AT-400 AT-400 原子層沉積

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AT-400 AT-400 原子層沉積

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First-Nano System GmbH 

  • 2003年          創立于德國德累斯頓工業大學(Dresden University of Technology)

  • 2008年          香港成立德國韋氏納米系統(香港)有限公司   

  • 2015年          上海成立德國韋氏納米系統(香港)有限公司中國代表處,負責中國區業務

  • 2018年          深圳正式成立韋氏納米系統(深圳)有限公司,更好的為中國南方區市場

     

德國韋氏納米系統成立以來,一直為客戶想的更多,Thinking more ?。。?/p>

 

產品范圍:

薄膜沉積/Thin Film Deposition 
E-Beam and Thermal Evaporation, PECVD, PLD, DLC, DC & RF Sputtering, Ion Beam Sputtering
刻蝕/Etching
RIE, DRIE, ICP, Ion Beam Milling, RIBE, Plasma, ALE
薄膜制程/Growth
ALD, PA-MOCVD, CNT, Graphene
表面處理/Surface Treatment
Ion Beam, PIII, Plasma Cleaner, RTP
清洗/Cleaning
- Dry: Ion Beam, Plasma Cleaner
- Wet: Megasonic, 杜邦EKC清洗液
其他/Other,
Device Testing System for Space Simulation, Heated Platens, Plasma Sources, Resist Stripping Systems

等離子清洗機,均膠機,薄膜沉積,刻蝕

原子層沉積(Atomic layer deposition, ALD)是通過將氣相前驅體脈沖交替的通入反應器,化學吸附在沉積襯底上并反應形成沉積膜的一種方法,是一種可以將物質以單原子膜形式逐層的鍍在襯底表面的方法。因此,它是一種真正的“納米”技術,以精確控制方式實現納米級的超薄薄膜沉積。由于ALD利用的是飽和化學吸附的特性,因此可以確保對大面積、多空、管狀、粉末或其他復雜形狀基體的高保形的均勻沉積。

 

原子層沉積(Atomic layer deposition, ALD)是通過將氣相前驅體脈沖交替的通入反應器,化學吸附在沉積襯底上并反應形成沉積膜的一種方法,是一種可以將物質以單原子膜形式逐層的鍍在襯底表面的方法。因此,它是一種真正的“納米”技術,以精確控制方式實現納米級的超薄薄膜沉積。由于ALD利用的是飽和化學吸附的特性,因此可以確保對大面積、多空、管狀、粉末或其他復雜形狀基體的高保形的均勻沉積。

 

原子層沉積(Atomic layer deposition, ALD)是通過將氣相前驅體脈沖交替的通入反應器,化學吸附在沉積襯底上并反應形成沉積膜的一種方法,是一種可以將物質以單原子膜形式逐層的鍍在襯底表面的方法。因此,它是一種真正的“納米”技術,以精確控制方式實現納米級的超薄薄膜沉積。由于ALD利用的是飽和化學吸附的特性,因此可以確保對大面積、多空、管狀、粉末或其他復雜形狀基體的高保形的均勻沉積。

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