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碳化硅陶瓷燒結制品應用2021/04/27

反應燒結碳化硅工藝是在碳化硅中加入硅粉和碳（石墨、碳黑等），在1450℃埋碳燒成，使硅粉與碳反應生成低溫型β-SiC，將原碳化硅顆粒結合起來，這種工藝制備的SiC制品的性能良好，強度較大。由于制品中一般含有游離硅8％～15％及少量游離碳，使用溫度一般要低于1400℃。其導熱系數、耐沖擊性良好，但強度、硬度、耐腐蝕性差。反應燒結碳化硅制品在燒結前后尺寸幾乎不變，因此，成型后可加工成任意形狀和尺寸，尤適合大規模、復雜形狀的產品。反應燒結碳化硅是一種高新技術工業陶瓷材料，其高溫強度大、抗氧化性強、耐酸

碳化硅陶瓷材料燒結及應用2021/04/21

碳化硅陶瓷材料具有：耐磨、耐腐蝕、高硬度、低密度以及較高的高溫強度等優點，因此近年來在各個領域中迅速普及，發展非常迅速。在航空航天、核工業、石油工業、化學工業、輕紡工業、食品工業等需要在高溫、高速、耐腐蝕、真空、電絕緣、無磁、干摩擦等特殊環境下，這種新型陶瓷材料難以的替代作用正在被人們逐漸認識。除以上的優點之外，在常壓燒結碳化硅陶瓷材料中，游離硅和游離碳含量極少。譬如在精細化工行業里，超純凈流體輸送過程中，要求高潔凈度，常壓燒結碳化硅陶瓷材料可以提供非常可靠的運輸環境，對輸送環境起到了保護作用，

金剛石/鋁復合材料的制備2021/04/21

金屬基復合材料由于結構特殊，因此在傳熱性能方面具有較好的優勢。其中，金剛石／鋁復合材料由于具有低密度、高導熱和熱膨脹系數可調等優勢而成為熱管理領域的研究熱點和發展方向，例如作為導熱性能優異的熱管理材料，可以協調逐漸增大的功率密度與周圍環境的溫差，實現高效散熱并降低與芯片材料熱膨脹系數不匹配的目的，提高系統的穩定性和可靠性。金剛石／鋁復合材料導熱性能的優劣很大程度上依賴于制備工藝，因此，復合工藝方法在材料研究中顯得尤為重要。金屬基復合材料的制備方法多種多樣，隨著工藝技術和裝備的進步，逐漸衍生出更多

非晶/納米晶復合材料制備方法簡介2021/03/08

非晶合金的形成晶體是通過結晶過程形成的具有規則幾何形狀的固體，它是由原子或者分子按照一定規律周期性排列形成的。與晶體相對應的，原子或分子不規則排列，沒有周期性和不具有對稱性的固體叫做非晶。它是一種長程無序、短程有序的結構。由于受到非晶形成能力的限制，非晶合金多以粉末、細絲和薄帶等低維形式存在。大塊非晶合金的出現拉開了非晶合金的序幕，制備要點是冷卻過程中抑制晶體相的形核和長大。非晶合金的制備目前大塊非晶合金的制備方法主要分為兩種：直接凝固法和粉末固結法。直接凝固法主要包括水淬法、銅模鑄造法、吸鑄法

SPS制備超細晶鉬合金2021/02/07

鉬及鉬合金具有優異的高溫力學性能，低的膨脹系數和高的導電導熱系數，是非常具有應用前景的難熔金屬材料，在宇航、電子和核能等眾多工業領域都有很廣泛的應用。有相關學者圍繞改善鉬合金的力學性能做了大量的研究工作，雖然合金的強度和硬度有大幅的提升，但是此時合金的韌性往往會出現下降，為了兩者兼顧，細化晶粒就是較好的解決方案之一。近些年發展起來的SPS燒結法利用的是脈沖能、放電脈沖壓力和焦耳熱產生瞬時高溫場來實現均勻燒結的過程，具有升溫速度快、燒結時間短、組織均勻、致密度高等可控的鮮明特點，被認為是細化晶粒，

多層金屬復合材料的制備工藝2020/12/28

根據多層復合材料在制備過程中組員材料的不同物理狀態，可以將多層復合材料的制備方法大體分為三類：固相-固相復合、液相-固相復合、液相-液相復合。固相-固相復合的方法主要有爆炸焊接法，軋制法、擴散法，以及不同的方法組合，我司研制的真空熱壓燒結設備以及sps燒結設備也可應用在該領域。液相-固相復合主要包括鑄軋法、反向凝固法、堆焊法、噴射沉積法等。液相-液相復合主要包括電磁連鑄法等。本期著重介紹固相-固相復合的方法。爆炸焊接法：爆炸焊接法是以*作為能源，利用爆炸產生的高速沖擊作用于不同的連接組元之間，在

多層金屬復合材料研究現狀2020/12/22

隨著科學技術的發展和進步，對材料的性能要求也越來越高，傳統材料由于結構單一，綜合性能不夠突出，難以滿足對多性能耦合要求的服役環境。但是由多種不同性能的材料通過物理或者化學方法結合制備而成的復合材料，既能保持各組元材料*的性能，也能取長補短，產生協同效應，使新制備的復合材料綜合性能遠優于各組員材料的性能，從而滿足不同復雜工況的要求。自然界中也有很多類似的結構，軟/硬相結合的多層結構可以提高其強度硬度的同時也能有很好的韌性。下圖為貝類外殼的層狀結構。圖1貝類外殼顯微結構由于異種金屬多層結構的復合材料

金屬基復合材料的制備2020/12/15

近些年來，科技的不斷發展和進步，使得傳統材料已無法滿足多種產業對其比強度、比剛度等性能的要求。高性能材料的研發是現今新科技發展的重要方向，而復合材料的出現在較大程度上解決了材料所面臨的問題，促進了材料的發展。復合材料是由２種或２種以上不同性質的材料，通過物理或化學的方法，在宏觀（微觀）上組成的具有新性能的材料。由于具備較高的比強度和比剛度，金屬基復合材料的研究和發展受到了眾多行業尤其是重工業的密切關注，然而加工困難是限制其工業應用的瓶頸問題，成本控制問題也并沒有得到完*，所以更多應用于航空航天、

金屬基復合材料的發展現狀2020/12/11

金屬基復合材料除了具有高比強度、高比模量和低膨脹系數等特點外，還具有良好的耐熱性、高韌性、耐老化性、高導電和高導熱性，同時還能抗輻射、阻燃、不吸潮、不放氣等特點。通過不同材料的組合，可以人為地制造出符合科技與工業生產要求的復合金屬材料，可以應用于機械制造、冶金、交通、船舶、制藥等多個領域。1、金屬基復合材料的研究歷史及發展現狀在２０世紀６０年代，由于傳統金屬材料無法滿足一些國家對于高性能武器裝備以及航空技術發展的需求，因此人們開始了對新材料的研究和開發，促成了金屬基復合材料的發展。２０世紀７０年

金屬基復合材料2020/11/30

金屬基復合材料（MetalMatrixcomposites,MMCs）主要是指以金屬、合金為基體材料，以纖維、晶須、顆粒等高強度材料作為增強體，制備而成的一種復合材料。MMCs的常用的制備方法有：粉末冶金法、原位生成復合法、噴射成形法、鑄造凝固成型法等。按照不同增強相可以分為連續纖維增強（主要有碳及石墨纖維、碳化硅纖維、硼纖維、氧化鋁纖維、不銹鋼絲和鎢絲）、非連續纖維增強（包括碳化硅、氧化鋁、碳化硼等顆粒增強，碳化硅、氧化鋁、等晶須增強，氧化鋁纖維等短纖維增強）和疊層復合三類復合材料。上海皓越自

碳化硅晶體的高溫退火處理2020/11/16

碳化硅SiC晶體生長較常見，較成熟的方法仍然是物理氣相輸運法（PVT），該方法是一種氣相生長方法，生長溫度高，對原材料以及工藝參數等都有很高的要求。近年來，國內外對PVT工藝的開發投入了大量的時間和精力，SiC晶體的質量和尺寸等方面有了很大的突破和提高，但是晶體中仍然存在組織缺陷和微觀應力。組織缺陷的存在會惡化SiC基器件的性能，從而影響器件的應用，而應力的存在則會使得SiC晶體在加工階段容易碎裂，從而降低SiC晶片的成品率。因此，降低SiC晶體中存在的組織缺陷和微觀應力就顯得尤為重要，而高溫退

第三代半導體材料之碳化硅2020/11/10

碳化硅SiC是一種由硅﹙Si﹚與碳﹙C﹚以共價鍵為主結合而成的化合物，其基本單元為Si-C四面體，其中Si原子位于中心，周圍為C原子。SiC所有的結構均由Si-C四面體以不同的堆積方式構成。目前已發現的碳化硅同質異型晶體結構有200多種，其中六方結構的4H型SiC（4H-SiC）具有高臨界擊穿電場、高電子遷移率的優勢，是制造高壓、高溫、抗輻照功率半導體器件的優良半導體材料，也是目前綜合性能好、商品化程度高、技術成熟的第三代半導體材料，它具有：（1）臨界擊穿電場強度是硅材料近10倍；（2）熱導率高

ITO靶材常壓燒結工藝進展2020/11/09

20世紀90年代初興起了一種新的靶材燒結方法-常壓燒結法，它是指在一定氣氛和溫度條件下對ITO靶材的素坯進行燒結，通過對燒結過程中各因素的控制，來有效控制ITO素坯晶粒的生長，從而達到靶材的晶粒分布均勻性及高致密化，該方法對粉末的燒結活性和靶材變形的控制都有很高的要求。通常靶材尺寸越大，濺射到平板上的拼縫就越少，價值也越高。國外可以做寬1200毫米、長近3000毫米的單塊靶材，國內只能制造不超過800毫米寬的。日企ITO制備工藝1.日本東曹公司日本東曹公司的的技術方案中，將粒徑小于1μm的ITO

ITO靶材燒結工藝2020/10/26

ITO（氧化銦錫）是制備ITO導電玻璃的重要原料。ITO靶材經濺射后可在玻璃上形成透明ITO導電薄膜，其性能是決定導電玻璃產品質量、生產效率、成品率的關鍵因素。ITO靶材性能的重要指標是成分、相結構和密度，ITO濺射靶材的成分為In2O3+SnO2，氧化銦與氧化錫成分配比通常為90:10（質量比），在ITO靶材的生產過程中必須嚴格控制化學氧含量及雜質含量，以確保靶材純度。ITO靶材制備流程ITO靶材的成型工藝制備出成分均勻、致密度較高的初坯，對經過低溫熱脫脂和燒結后工藝處理得到的靶材的致密度和電

ITO靶材應用及發展前景2020/10/21

氧化銦錫（ITO）晶體結構氧化銦錫（ITO）是通過用錫摻雜In2O3而形成的n型半導體，晶體結構是In2O3結構，其中In2O3結構具有兩種形態，一種是立方鐵錳礦結構，另一種是六方剛玉結構。立方鐵錳礦結構是常見的In2O3結構，如圖1所示。當將氧化錫摻雜到氧化銦中以形成氧化銦錫固溶體時，一種高度簡并的n型半導體得以產生，其中一定數量的In3+位置被Sn4+取代了，導致ITO晶格中出現大量點缺陷，同時產生大量自由電子，點缺陷和自由電子可充當電場下的載流子，因此表現出了優異的導電性能。ITO體心立方

AZO靶材 熱壓制備工藝2020/10/12

透明導電氧化物（TransparentConductiveOxide，TCO）是一種在可見光光譜范圍（380nm＜λ＜780nm）透過率很高且電阻率較低的薄膜材料，由于其良好的光電性能在節能玻璃、熱窗、電磁屏蔽窗、觸摸屏、液晶面板、太陽能電池、發光二極管等領域，被作為智能窗口材料、加熱導體、電磁屏蔽材料、薄膜電容材料、透明導電電極等而得到廣泛的應用。TCO薄膜材料主要有CdO、In2O3、SnO2和ZnO等氧化物及其相應的復合多元化合物半導體材料。電子工業的飛速發展對透明導電薄膜綜合性能的要求日

碳化硼復合靶板制備及抗彈測試2020/09/30

近30年來，復合裝甲中一般采用金屬與非金屬組成的多層結構，由外層裝甲鋼和背板裝甲組成集體，非金屬材料（陶瓷、增強纖維）充填其中。常見的陶瓷材料有氧化鋁、碳化硅、氧化鋯、碳化硼等，增強纖維有玻璃纖維、碳纖維和芳綸纖維等。下面以碳化硼復合靶板為例，介紹下其制備及抗彈測試過程。復合靶板結構及封裝復合裝甲陶瓷靶板示意圖靶板從左到右依次為鋁合金面板、4層玻纖布、鋁合金邊框及陶瓷片、2層玻纖布、鋁合金背板、45號鋼基板。采用鋁合金邊框對陶瓷塊進行二維約束，再將玻纖布平鋪在陶瓷層的正面和背面（正面鋪上四層玻纖

B4C防彈陶瓷插板應用解決方案2020/09/14

陶瓷材料擁有許多吸引力的性能，包括高比剛度、高比強度和在許多環境下的化學惰性。同時，因其相對于金屬的低密度、高硬度和高抗壓強度，使其在裝甲系統上的應用十分具有吸引力，己成為一種廣泛應用于防彈衣、車輛和飛機等裝備的防護裝甲。裝甲陶瓷材料在實際應用時，通常以復合裝甲的形式出現。普遍應用在附加頂、艙蓋、排氣板、炮塔座圈、防彈玻璃、樞軸架等裝甲構件中以及坦克車輛的下車體；還用于制造軀干板、側板、車輛門和駕駛員座椅。在主戰坦克中，目前德國的豹-II，英國的挑戰者系列，以色列的梅卡瓦，美國的艾布拉姆斯(MI

金屬注射成型（MIM）/陶瓷注射成型（CIM）熱燒結解決方案2020/09/11

一、MIM常壓燒結工藝流程及介紹：MIM工藝主要包括產品設計、模具設計、質量檢測、混合、成型、脫脂、燒結、二次加工等8個重要環節，我公司可根據客戶產品及工藝要求，定制脫脂和燒結設備，且可整合一起，提供真空脫脂燒結一體化設備。1、石墨熱場真空脫脂燒結一體設備；適合材料：鐵鎳合金，大部分不銹鋼（17-4ph,316L,PANACEA等），模具鋼，高速鋼等皓越科技為用戶此類MIM（鐵鎳合金，大部分不銹鋼（17-4ph,316L,PANACEA等），模具鋼，高速鋼等）提供以下解決方案：編號VHS4415

藍寶石晶片有氧/無氧退火解決方案2020/09/11

通常，GaN基材料和器件的外延層主要生長在藍寶石襯底上。藍寶石襯底有許多的優點：首先，藍寶石襯底的生產技術成熟、器件質量較好；其次，藍寶石的穩定性很好，能夠運用在高溫生長過程中；后，藍寶石的機械強度高，易于處理和清洗。因此，大多數工藝一般都以藍寶石作為襯底材料。在顯示及電子器件中，藍寶石襯底厚度僅有上百微米，在藍寶石襯底的切割、雙面研磨以及單面研磨、拋光過程中，盡管部分的加工應力會在下一道加工工序釋放，但是這種應力釋放是無序釋放，同時未釋放的加工應力會在晶片表面集聚，影響藍寶石晶片的翹曲程度，嚴